NXH003P120M3F2PTNG

onsemi
863-H003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$243.13 $243.13

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
PIM-36
1.2 kV
435 A
5.88 mohms
- 10 V, + 22 V
2.4 V
- 40 C
+ 175 C
1.482 kW
NXH003P120M3F2PTNG
Tray
Marca: onsemi
Configuración: Half Bridge
País de ensamblaje: CN
País de difusión: KR
País de origen: CN
Tiempo de caída: 16 ns
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 17 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 20
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Nombre comercial: EliteSiC
Tipo: Half Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico: 144 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 49 ns
Vf - Tensión directa: 4.8 V
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG

Los módulos de medio puente EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG de onsemi son paquetes de dos módulos con dos conmutadores MOSFET SiC de 1200 V de 4 mΩ de 3 mΩ y un termistor de cobre de enlace directo (DBC) de alúmina templada con zirconia (HPS) o de nitruro de silicio (Si3N4). Los conmutadores MOSFET SiC en paquete F2 utilizan la tecnología M3S y cuentan con un rango de control de puertas de 15 V a 18 V. Las aplicaciones incluyen conversiones CC-CA, CC-CC y CA-CC.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.