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UG4SC075011K4S

Name: onsemi UG4SC075011K4S
Brand: onsemi
SKU: 772-UG4SC075011K4S
Price: 27.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-UG4SC075011K4S

Fabricante N.º:

UG4SC075011K4S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/11MOCOMBO-FETG4TO

Hoja de datos:

UG4SC075011K4S Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Transistor de unión de efecto de campo (JFET)
RoHS:
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Configuración:	Single
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente:	- 30 V to 30 V
Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0:	3.5 uA
Id - Corriente de drenaje continua:	104 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Dp - Disipación de potencia :	357 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	UG4S
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	PH
Tipo de producto:	JFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Combo-FETs

onsemi Combo-FETs are revolutionary devices that combine a low R_DS(on) onsemi SiC JFET with a Si MOSFET in a single, compact package. Explicitly designed for low-frequency protection applications, such as solid-state circuit breakers, battery disconnects, and surge protection, these Combo-FETs allow users access to the JFET gate to optimize the design. Integrating the Si MOSFET in these onsemi Combo-FETs ensures a normally off solution, achieving a size reduction of over 25% compared to discrete implementations.

UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs

onsemi UG4SC 750V 8.4mΩ Combo-FETs combine a 750V SiC JFET and a low-voltage Si MOSFET in a single TO-247-4L package. This design enables a normally off switch while benefiting from the ultra-low on-resistance [R_DS(on)] and robustness of a normally on SiC JFET. The UG4SC Combo-FET series from onsemi is ideal for high-energy switching in circuit protection. For switch-mode power conversion, the devices offer separate gate access to the JFET and MOSFET, enhancing speed control and simplifying the paralleling of multiple devices.