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UHB50SC12E1BC3N

Name: onsemi UHB50SC12E1BC3N
Brand: onsemi
SKU: 772-UHB50SC12E1BC3N
Price: 140.37 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

772-UHB50SC12E1BC3N

Fabricante N.º:

UHB50SC12E1BC3N

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos 1200V/50ASICHALF-BRIDGE

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

UHB50SC12E1BC3N Hoja de datos

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	$140.37	$140.37
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	SiC Modules
Tipo:	Half Bridge
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.2 V
Vr - Tensión inversa:	800 V
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Estilo de montaje:	Press Fit
Paquete / Cubierta:	E1B
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Serie:	UHBxxxSC
Empaquetado:	Tray
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	US
País de origen:	US
Tiempo de caída:	20 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	69 A
Dp - Disipación de potencia :	208 W
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	24 mOhms
Tiempo de subida:	24 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	24
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre comercial:	SiC FET Module
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	32 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiC E1B Modules

onsemi SiC E1B Modules feature a unique cascode circuit with a normally on SiC JFET co-packaged with a Si MOSFET, resulting in a normally off SiC FET. The SiC E1B series offers a silicon-like gate drive that supports unipolar gate drives compatible with Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs, and Si super junction devices. Housed in the E1B module package, these onsemi devices boast ultra-low gate charge and excellent switching characteristics, making them ideal for hard-switching and ZVS soft-switching applications. The modules incorporate advanced Ag sintering die attach technology for superior power cycling and thermal performance.