Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

UJ4SC075010L8S

Name: onsemi UJ4SC075010L8S
Brand: onsemi
SKU: 772-UJ4SC075010L8S
Price: 20.49 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

772-UJ4SC075010L8S

Fabricante N.º:

UJ4SC075010L8S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC 750V/10MOSICFETG4TOLL

Hoja de datos:

UJ4SC075010L8S Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre onsemi UJ4SC075010L8S

Disponibilidad

Existencias:: Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.

2,000 Se puede enviar en 20 días

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 2000 Múltiples: 2000

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$20.49	$40,980.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MO-229-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	106 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	75 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	556 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	US
Tiempo de caída:	12.8 ns
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC FET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22.4 ns
Serie:	UJ4SC
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17.6 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

UJ4SC075010L8S Hoja de datos

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.