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UJ4SC075010L8SSR

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Mouser N.º:

772-UJ4SC075010L8SSR

Fabricante N.º:

UJ4SC075010L8SSR

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC UJ4SC075010L8S

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

UJ4SC075010L8SSR Hoja de datos

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MO-229-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	106 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10.7 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.5 V
Qg - Carga de puerta:	75 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	556 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	SiC FET
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	12.8 ns
Producto:	SiC FET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	22.4 ns
Serie:	UJ4C
Cantidad de empaque de fábrica:	200
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	65 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17.6 ns

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PCN

Product Change Notification 2024-10-18 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs

onsemi UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETs are a high-performance series delivering industry-best performance Figures of Merit that lower conduction losses and increase efficiency at higher speed, improving overall cost-effectiveness. Available in 5.4mΩ to 60mΩ options, the Gen 4 series is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. The standard gate-drive characteristics of the UJ4C/SC 750V FETs allow for "drop-in replacement" functionality. Designers can significantly enhance system performance without changing gate drive voltage by replacing existing Si IGBTs, Si FETs, SiC FETs, or Si super-junction devices with the onsemi UJ4C/SC FETs.