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AFGH4L25T120RWD

Name: onsemi AFGH4L25T120RWD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGH4L25T120RWD
Price: 9.45 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-AFGH4L25T120RWD

Fabricante N.º:

AFGH4L25T120RWD

Fabricante:

onsemi

Descripción:

IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT TO247 4L

Ciclo de vida:

Nuevo en Mouser

Hoja de datos:

AFGH4L25T120RWD Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	1.37 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	50 A
Dp - Disipación de potencia :	416 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	AFGH4L25T120RWD
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Máx. corriente continua Ic del colector:	25 A
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Corriente de fuga puerta-emisor:	400 nA
Tipo de producto:	IGBTs
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors

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Hoja de datos

AFGH4L25T120RWD Hoja de datos

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A IGBTs

onsemi AFGHxL25T Single N-Channel 1200V 25A Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) feature a robust and cost-effective Field Stop VII Trench construction. The onsemi AFGHxL25T provides superior performance in demanding switching applications. Low on-state voltage and minimal switching loss offer optimum hard and soft switching topology performance in automotive applications.