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IPA95R310PFD7XKSA1

Name: Infineon IPA95R310PFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPA95R310PFD7XKS
Price: 3.72 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPA95R310PFD7XKS

Fabricante N.º:

IPA95R310PFD7XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

Hoja de datos:

IPA95R310PFD7XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	$1.44	$1,440.00
	$1.35	$3,375.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220FP-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	950 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8.7 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	310 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	3.5 V
Qg - Carga de puerta:	61 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 155 C
Dp - Disipación de potencia :	31 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	4 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	61 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Alias de las piezas n.º:	IPA95R310PFD7 SP005547007

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs

Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFETs offer super junction (SJ) technologies. The SJ technology is ideal for lighting and industrial SMPS applications by incorporating best-in-class performance with state-of-the-art ease of use. The PFDJ provides an integrated ultra-fast body diode allowing usage in resonant topologies with the lowest reverse recovery charge (Qrr).