Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

SQUN702E-T1_GE3

Name: Vishay SQUN702E-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQUN702E-T1_GE3
Price: 4.14 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

78-SQUN702E-T1_GE3

Fabricante N.º:

SQUN702E-T1_GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40-V N- & P-CH COMMON DRAIN + 200-V

Hoja de datos:

SQUN702E-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Vishay Semiconductors SQUN702E-T1_GE3

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$4.14	$4.14
	$3.04	$30.40
	$2.16	$216.00
	$2.00	$1,000.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$1.86	$3,720.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	Triple die
Polaridad del transistor:	N-Channel, P-Channel
Número de canales:	3 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V, 200 V
Id - Corriente de drenaje continua:	20 A, 30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	9.2 mOhms, 30 mOhms, 60 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V, 2.5 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC, 23 nC, 30.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	48 W, 60 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Triple
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	DE
Tiempo de caída:	2 ns, 10 ns, 19 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S, 19 S, 65 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	3 ns, 9 ns, 12 ns
Serie:	SQUN
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel, 1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	15 ns, 22 ns, 43 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	7 ns, 8 ns, 10 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

SQUN702E-T1_GE3 Hoja de datos

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Integrated MOSFETs with Common Drain

Vishay Integrated MOSFETs with Common Drain are 1, 2, and 3-channels offering surface mounting. The Integrated MOSFETs feature N-channel, and N+P-channel options, as well as a breakdown voltage range of 20V to 200V. The Enhancement Mode MOSFETs have 6 or 8-pins, a power dissipation range of 1.5W to 69.4W, and on drain-source resistance of 2.15mΩ to 26mΩ.

Integrated MOSFET Solutions

Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density and efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance.

N- & P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs

Vishay N- and P-Channel Pair Thermally Enhanced MOSFETs combine the N-channel and P-channel MOSFET pairs into one package. These Vishay N- and P-Channel MOSFETs are designed to minimize the ON-state Resistance (R_DS(on)) while maintaining superior switching performance. In addition, combining both the N-channel and P-channel MOSFETs into a single IC saves PCB space and simplifies application design.