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MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
- IPDQ60R037CM8XTMA1
- Infineon Technologies
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300En existencias
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Nuevo en Mouser
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Nuevo en Mouser
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Infineon Technologies
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MOSFETs de SiC HIGH POWER_NEW
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60T040S7XTMA1
- Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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135En existencias
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$7.59
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPTA60R180CM8XTMA1
- Infineon Technologies
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1,309En existencias
-
Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
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Nuevo en Mouser
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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- Infineon Technologies
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NRND
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NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
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226En existencias
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- Infineon Technologies
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311En existencias
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NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6
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311En existencias
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- IPA60R400CEXKSA1
- Infineon Technologies
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-
NRND
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NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.3A TO220FP-3
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393En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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- Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS
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242En existencias
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$7.25
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$4.75
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- Infineon Technologies
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$1.56
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-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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954En existencias
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$1.56
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Ver
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- IPA65R400CEXKSA1
- Infineon Technologies
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381En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
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381En existencias
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$1.76
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- Infineon Technologies
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-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
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648En existencias
|
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$2.34
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$1.32
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$1.02
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$0.734
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA80R310CEXKSA2
- Infineon Technologies
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1:
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216En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R310CEXKSA2
NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
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216En existencias
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$3.81
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- Infineon Technologies
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-
1,365En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C6
NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
|
1,365En existencias
|
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|
$6.13
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|
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$4.33
|
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$3.19
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|
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$3.12
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$2.91
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|
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:
1,000
|
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R099CPATMA1
- Infineon Technologies
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-
995En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
995En existencias
|
|
|
$8.09
|
|
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$5.31
|
|
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$4.00
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$3.76
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$3.51
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|
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1,000
|
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|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
- IPB60R190C6ATMA1
- Infineon Technologies
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-
644En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6ATMA1
NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
|
644En existencias
|
|
|
$3.87
|
|
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$2.54
|
|
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$1.78
|
|
|
$1.51
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|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2
- IPB65R150CFDAATMA1
- Infineon Technologies
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-
1,000En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R150CFDAATM
NRND
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 72A D2PAK-2
|
|
1,000En existencias
|
|
|
$5.27
|
|
|
$3.50
|
|
|
$2.50
|
|
|
$2.27
|
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$2.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R2K1CEATMA1
- Infineon Technologies
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15,364En existencias
-
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N.º de artículo de Mouser
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NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
15,364En existencias
|
|
|
$0.78
|
|
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|
|
|
$0.31
|
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|
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|
|
|
Ver
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|
|
$0.211
|
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|
$0.154
|
|
|
$0.151
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
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|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R099CP
- Infineon Technologies
-
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330En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
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NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
330En existencias
|
|
|
$7.39
|
|
|
$5.52
|
|
|
$4.55
|
|
|
$3.86
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R099CPXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
85En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099CPXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
85En existencias
|
|
|
$6.76
|
|
|
$3.85
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPP65R125C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.54
-
263En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R125C7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
263En existencias
|
|
|
$4.54
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPU60R2K1CEAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.79
-
2,921En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU60R2K1CEAKMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,921En existencias
|
|
|
$0.79
|
|
|
$0.336
|
|
|
$0.297
|
|
|
$0.242
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.218
|
|
|
$0.198
|
|
|
$0.176
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R041C6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.37
-
160En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
160En existencias
|
|
|
$13.37
|
|
|
$8.14
|
|
|
$8.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R125C6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.92
-
184En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
184En existencias
|
|
|
$4.92
|
|
|
$3.94
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R125C6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.81
-
164En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125C6FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
164En existencias
|
|
|
$4.81
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.96
-
218En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
218En existencias
|
|
|
$4.96
|
|
|
$3.29
|
|
|
$2.62
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3
- IPW65R099C6
- Infineon Technologies
-
1:
$7.33
-
161En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3
|
|
161En existencias
|
|
|
$7.33
|
|
|
$5.18
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|