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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R040C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.75
-
560En existencias
-
960En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R040C7XKSA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
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560En existencias
960En pedido
|
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$11.75
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$8.91
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$7.42
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$6.61
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$6.18
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW60R099P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
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976En existencias
|
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$5.68
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$2.43
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
- IPW65R019C7FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R019C7FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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750En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
- IPW65R080CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
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-
381En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
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|
381En existencias
|
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$8.25
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$6.00
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$5.00
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
- IPW65R080CFDAFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
390En existencias
-
240En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R080CFDAFKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 43.3A TO247-3
|
|
390En existencias
240En pedido
|
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$8.12
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$4.16
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
- IPZ65R019C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
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-
167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4
|
|
167En existencias
|
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$23.44
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ65R065C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.68
-
1,196En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,196En existencias
|
|
|
$9.68
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$6.83
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$5.07
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$4.74
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW32N50C3
- Infineon Technologies
-
1:
$8.64
-
1,203En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW32N50C3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
1,203En existencias
|
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|
$8.64
|
|
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$5.07
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$4.52
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA50R500CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.42
-
952En existencias
-
1,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R500CEXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
952En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$1.42
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$0.671
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$0.597
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$0.467
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$0.391
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
- IPA60R125C6
- Infineon Technologies
-
1:
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-
251En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125C6XK
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
|
251En existencias
|
|
|
$4.93
|
|
|
$3.61
|
|
|
$2.98
|
|
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$2.52
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$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.06
-
294En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 16A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
294En existencias
|
|
|
$4.06
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|
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$2.08
|
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$1.89
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|
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$1.65
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R1K0CEXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
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-
498En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R1K0CEXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
498En existencias
|
|
|
$1.31
|
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$0.614
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$0.546
|
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$0.462
|
|
|
Ver
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$0.354
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA60R280E6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.06
-
273En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
273En existencias
|
|
|
$3.06
|
|
|
$1.98
|
|
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$1.46
|
|
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$1.16
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$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA60R280E6XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.82
-
431En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280E6XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
431En existencias
|
|
|
$5.82
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.06
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA60R299CP
- Infineon Technologies
-
1:
$3.18
-
456En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
456En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.32
|
|
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$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD65R380E6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.38
-
646En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R380E6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
646En existencias
|
|
|
$2.38
|
|
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$1.53
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.827
|
|
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$0.77
|
|
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$0.716
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
- IPL60R360P6SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
3,900En existencias
-
5,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R360P6SATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11.3A ThinPAK 5x6
|
|
3,900En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.48
|
|
|
$0.999
|
|
|
$0.796
|
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|
$0.732
|
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|
$0.683
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
- IPL60R650P6SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.07
-
5,000En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R650P6SATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.7A ThinPAK 5x6
|
|
5,000En existencias
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.32
|
|
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$0.884
|
|
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$0.699
|
|
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$0.59
|
|
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|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K0CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.96
-
3,057En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K0CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,057En existencias
|
|
|
$0.96
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.391
|
|
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$0.30
|
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$0.216
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.271
|
|
|
$0.205
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN60R1K5CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.76
-
1,837En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,837En existencias
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.474
|
|
|
$0.306
|
|
|
$0.233
|
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|
$0.16
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.21
|
|
|
$0.158
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPN95R2K0P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.42
-
2,054En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R2K0P7ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,054En existencias
|
|
|
$1.42
|
|
|
$0.887
|
|
|
$0.589
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.355
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R125CP
- Infineon Technologies
-
1:
$5.94
-
101En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
101En existencias
|
|
|
$5.94
|
|
|
$4.15
|
|
|
$3.42
|
|
|
$2.90
|
|
|
$2.64
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R165CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.73
-
355En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
355En existencias
|
|
|
$4.73
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R199CP
- Infineon Technologies
-
1:
$4.26
-
372En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
372En existencias
|
|
|
$4.26
|
|
|
$2.80
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.81
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
- IPP60R199CPXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.06
-
358En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R199CPXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO220-3 CoolMOS CP
|
|
358En existencias
|
|
|
$4.06
|
|
|
$2.08
|
|
|
$1.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|