|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC054N04NS G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.37
-
122,457En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSG
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
122,457En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.554
|
|
|
$0.427
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.364
|
|
|
$0.309
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
- FS03MR12A6MA1BBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2,003.98
-
19En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS03MR12A6MA1BBP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos HYBRID PACK DRIVE G1 SIC
|
|
19En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.94
-
3,984En existencias
-
2,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
3,984En existencias
2,000En pedido
|
|
|
$7.94
|
|
|
$6.36
|
|
|
$5.14
|
|
|
$4.57
|
|
|
$4.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns
- IR2109SPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
13,200En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IR2109SPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns
|
|
13,200En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.48
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puertas Ballast Cntrl Prog Preht Tm & Run Freq
- IR2156STRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.38
-
17,382En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IR2156STRPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas Ballast Cntrl Prog Preht Tm & Run Freq
|
|
17,382En existencias
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.09
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.18
|
|
|
$1.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
- IRS2103SPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.17
-
14,450En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRS2103SPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Controladores de puertas HALF BRDG DRVR 600V 130mA 680ns
|
|
14,450En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.25
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.995
|
|
|
$0.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC054N04NSGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.24
-
53,842En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
53,842En existencias
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.777
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.398
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.309
|
|
|
$0.331
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.309
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
- FS50R06W1E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
$32.72
-
254En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FS50R06W1E3_B11
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
|
|
254En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
- IFS100B12N3E4_B31
- Infineon Technologies
-
1:
$102.80
-
45En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-IFS100B12N3E4B31
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
|
|
45En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
- BGSA144ML10E6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.66
-
5,759En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BGSA144ML10E6327
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptores de RF ANTENNA DEVICES
|
|
5,759En existencias
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.467
|
|
|
$0.414
|
|
|
$0.365
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.288
|
|
|
$0.34
|
|
|
$0.325
|
|
|
$0.312
|
|
|
$0.30
|
|
|
$0.288
|
|
|
$0.288
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
7,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- BSC155N06NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
4,117En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
4,117En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.661
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
- BSO613SPVGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.56
-
11,833En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO613SPVGXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL (NEGATIVE)
|
|
11,833En existencias
|
|
|
$1.56
|
|
|
$0.986
|
|
|
$0.657
|
|
|
$0.516
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.426
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
- BSP316PH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
38,727En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
|
|
38,727En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.316
|
|
|
$0.231
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 3A
- BTS3134N
- Infineon Technologies
-
1:
$2.96
-
24,688En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS3134N
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 3A
|
|
24,688En existencias
|
|
|
$2.96
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.47
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.928
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.95
|
|
|
$0.928
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.3A
- BTS3410G
- Infineon Technologies
-
1:
$2.85
-
13,366En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS3410G
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART LW SIDE PWR 42V 1.3A
|
|
13,366En existencias
|
|
|
$2.85
|
|
|
$1.85
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.41
|
|
|
$0.917
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.992
|
|
|
$0.896
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 2 CHANNELS
- BTS5210G
- Infineon Technologies
-
1:
$3.67
-
21,965En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BTS5210G
|
Infineon Technologies
|
Circuitos integrados de interruptor de alimentación - Distribución de alimentación SMART HI SIDE PWR SWITCH 2 CHANNELS
|
|
21,965En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.49
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.27
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12KE4PBOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$209.62
-
65En existencias
-
80En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE4PBOSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
65En existencias
80En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
- FS100R12W2T7BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$64.72
-
156En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS100R12W2T7BOMA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
156En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB017N06N3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.87
-
5,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
5,482En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
- IPB17N25S3100ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.08
-
1,585En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB17N25S3100ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 17A D2PAK-2
|
|
1,585En existencias
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
- IPB180N04S4-H0
- Infineon Technologies
-
1:
$4.07
-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
|
976En existencias
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.99
-
831En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
831En existencias
|
|
|
$6.99
|
|
|
$4.65
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB60R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.01
-
2,797En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,797En existencias
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.29
|
|
|
$0.868
|
|
|
$0.689
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.606
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.69
-
9,488En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
9,488En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.59
-
3,886En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
3,886En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.673
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.464
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.438
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
