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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
- IPP60R099C6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.72
-
405En existencias
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
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405En existencias
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$5.72
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$4.58
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$3.78
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$3.20
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$2.91
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPP80R280P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.23
-
301En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
301En existencias
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$3.23
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$1.76
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$1.34
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R070C6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.69
-
152En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070C6FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
|
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152En existencias
|
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$8.69
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$5.10
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Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R099CP
- Infineon Technologies
-
1:
$7.87
-
28En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
28En existencias
|
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$7.87
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$5.73
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$4.52
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$4.09
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R099CPFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.22
-
1En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPFKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
1En existencias
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$7.22
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$4.56
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$3.97
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
- IPW60R125CP
- Infineon Technologies
-
1:
$6.21
-
1En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
|
|
1En existencias
|
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$6.21
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$4.76
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$3.85
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|
$3.41
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$3.03
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.37
-
139En existencias
-
716En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
139En existencias
716En pedido
|
|
|
$4.37
|
|
|
$2.43
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
- IPW60R190E6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.49
-
9En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
|
|
9En existencias
|
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|
$4.49
|
|
|
$3.00
|
|
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$2.31
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$2.04
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$1.82
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
- IPW65R037C6FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$14.56
-
30En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R037C6FKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6
|
|
30En existencias
|
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|
$14.56
|
|
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$10.38
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$8.61
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA07N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$2.82
-
105En existencias
-
500En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA07N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
105En existencias
500En pedido
|
|
|
$2.82
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.01
|
|
|
$1.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD07N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.08
-
1,304En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,304En existencias
|
|
|
$3.08
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
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$1.05
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP06N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$2.42
-
370En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
370En existencias
|
|
|
$2.42
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.877
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.771
|
|
|
$0.76
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP17N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.91
-
323En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
323En existencias
|
|
|
$4.91
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.33
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
- SPW24N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$6.29
-
207En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW24N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD
|
|
207En existencias
|
|
|
$6.29
|
|
|
$4.82
|
|
|
$3.42
|
|
|
$3.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- IPD60R600E6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.88
-
2,494En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600E6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
2,494En existencias
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.795
|
|
|
$0.651
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.518
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD70R1K4CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.07
-
1,186En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,186En existencias
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.666
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.379
|
|
|
$0.251
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.343
|
|
|
$0.239
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPS70R600P7SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.15
-
392En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
392En existencias
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.522
|
|
|
$0.462
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.379
|
|
|
$0.356
|
|
|
$0.345
|
|
|
$0.334
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD06N60C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.65
-
1,290En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N60C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
1,290En existencias
|
|
|
$2.65
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.885
|
|
|
$0.885
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA08N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.23
-
185En existencias
-
500En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
185En existencias
500En pedido
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPWS65R035CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$12.39
-
5En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
5En existencias
|
|
|
$12.39
|
|
|
$9.69
|
|
|
$8.08
|
|
|
$7.20
|
|
|
$6.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
- IXKR47N60C5
- IXYS
-
1:
$28.05
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXKR47N60C5
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds
|
|
30En existencias
|
|
|
$28.05
|
|
|
$18.17
|
|
|
$17.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP17N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$5.14
-
138En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
138En existencias
|
|
|
$5.14
|
|
|
$3.41
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPDD60R037CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.49
-
-
Nuevo en Mouser
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R037CM8XTM
Nuevo en Mouser
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$7.49
|
|
|
$5.99
|
|
|
$4.85
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.81
|
|
|
$3.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,700
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPL60R065C7AUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.18
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065C7AUMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$8.18
|
|
|
$5.55
|
|
|
$4.05
|
|
|
$3.81
|
|
|
$3.70
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R099C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.68
-
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
|
|
|
$6.68
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.95
|
|
|
$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|