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TPHR9003NL1,LQ

Name: Toshiba TPHR9003NL1,LQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR9003NL1LQ
Price: 2.36 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

757-TPHR9003NL1LQ

Fabricante N.º:

TPHR9003NL1,LQ

Fabricante:

Toshiba

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS8 SOP-ADV(N) RDSon=0.9mohm(max)

Hoja de datos:

TPHR9003NL1,LQ Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Toshiba
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	320 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	770 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.3 V
Qg - Carga de puerta:	74 nC
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	170 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Toshiba
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	9.6 ns
Serie:	U-MOSVIII-H
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	89 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Alias de las piezas n.º:	TPHR9003NL1,LQ(M

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Hoja de datos

TPHR9003NL1,LQ Hoja de datos (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSVIII-H Power MOSFETs are 100V N-channel power MOSFETs ideal for automotive applications. These devices feature low on-resistance with proprietary technology using a Cu connector. The Toshiba U-MOSVIII-H Power MOSFETs have a narrowed gate threshold voltage range of 2.5V to 3.5V, which reduces switching time tolerance.