IXYS Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 1200V 1 Rds 614En existencias
660En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A 826En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET 806En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs RECT 300V 30A FAST RECOVERY 751En existencias
800En pedido
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: 800

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS IGBTs TO247 2500V 2A IGBT 107En existencias
180En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs 32 Amps 1200V 295En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3

IXYS IGBTs 50 Amps 900V 2.7 Rds 291En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET 2,106En existencias
1,450En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET 396En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET 549En existencias
390En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 N-CH 75V 80A 422En existencias
600En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET 272En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET 726En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TenchP Power MOSFET 2,772En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 94A N-CH X4CLASS 719En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds 1,286En existencias
1,170En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds 316En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A 261En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs TO247 2500V 16A IGBT 287En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs 650V/130A XPTI C3-Class TO-247 374En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT IGBT C3-Class 1200V/160A 320En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS Módulos SCR High Efficiency Thyristor Module 64En existencias
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SCR Modules Si
IXYS SCR SCR TO247 1.6KV 80A SINGLE 384En existencias
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SCRs Through Hole TO-247-3
IXYS Rectificadores 60 Amps 600V 314En existencias
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Rectifiers Through Hole TO-247AD
IXYS IGBTs 12 Amps 1700V 3.6 Rds 258En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)