|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
- BSS314PEH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.39
-
61,344En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSS314PEH6327XTS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
|
|
61,344En existencias
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.235
|
|
|
$0.148
|
|
|
$0.111
|
|
|
$0.079
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.095
|
|
|
$0.058
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-23-3
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 60V
- IPF012N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 60V
|
|
|
|
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
- BSC065N06LS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.12
-
77,749En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC065N06LS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
|
|
77,749En existencias
|
|
|
$2.12
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.894
|
|
|
$0.733
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.582
|
|
|
$0.624
|
|
|
$0.614
|
|
|
$0.582
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IAUC100N04S6L025ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.49
-
44,942En existencias
-
15,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUC100N04S6L025
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
44,942En existencias
15,000En pedido
|
|
|
$1.49
|
|
|
$0.941
|
|
|
$0.626
|
|
|
$0.491
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.40
|
|
|
$0.428
|
|
|
$0.421
|
|
|
$0.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
- IRFP150NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$3.07
-
15,388En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRFP150NPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
|
|
15,388En existencias
|
|
|
$3.07
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
- BSO220N03MDGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.21
-
62,857En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
|
|
62,857En existencias
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.755
|
|
|
$0.496
|
|
|
$0.385
|
|
|
$0.35
|
|
|
$0.286
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
|
|
|
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-DF14MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
|
|
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
- DF16MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-DF16MR12W1M1HFB6
|
Infineon Technologies
|
Discrete Semiconductor Modules Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module
|
|
|
|
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
- FS3L400R10W3S7FB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$173.15
-
23En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-3L400R10W3S7FB11
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 950 V 400 A EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7 and CoolSiC Schottky diode
|
|
23En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
- FF600R12KE7EHPSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE7EHPSA
|
Infineon Technologies
|
IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module
|
|
|
|
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
- FF200R17KE4HOSA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF200R17KE4HOSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBT Modules 1700 V, 200 A dual IGBT module
|
|
|
|
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
- IDDD10G65C6XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.93
-
8,445En existencias
-
3,400En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IDDD10G65C6XTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Diodos Schottky de SiC SIC DIODES
|
|
8,445En existencias
3,400En pedido
|
|
|
$3.93
|
|
|
$2.81
|
|
|
$2.16
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,700
|
|
SiC Schottky Diodes
|
|
SMD/SMT
|
HDSOP-10
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
- AIMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$27.75
-
781En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-W120R060M1HXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
|
|
781En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET >100-150V
- IPTG063N15NM5ATMA1
- Infineon Technologies
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
726-TG063N15NM5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET >100-150V
|
|
|
|
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
HSOG-8
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
- FS50R06W1E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
$32.15
-
242En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FS50R06W1E3_B11
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
|
|
242En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
- IFS100B12N3E4_B31
- Infineon Technologies
-
1:
$100.96
-
43En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-IFS100B12N3E4B31
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
|
|
43En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- BSC155N06NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
4,117En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
4,117En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.661
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
- BSP316PH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
38,727En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
|
|
38,727En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.316
|
|
|
$0.231
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12KE4PBOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$209.62
-
65En existencias
-
80En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE4PBOSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
65En existencias
80En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
- FS100R12W2T7BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$64.72
-
154En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS100R12W2T7BOMA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
154En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB017N06N3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.87
-
5,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
5,482En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
- IPB180N04S4-H0
- Infineon Technologies
-
1:
$4.07
-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
|
976En existencias
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.99
-
831En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
831En existencias
|
|
|
$6.99
|
|
|
$4.65
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB60R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
2,793En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,793En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.792
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.638
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.69
-
9,457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
9,457En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|