|
|
Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
- TD430N22KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$302.46
-
2En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-TD430N22KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Módulos de semiconductores discretos THYR / DIODE MODULE DK
|
|
2En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
144 mm x 60 mm x 52 mm
|
|
|
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
- FS50R06W1E3_B11
- Infineon Technologies
-
1:
$32.15
-
242En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-FS50R06W1E3_B11
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT IGBT Module 50A 600V
|
|
242En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
SMD/SMT
|
Module
|
|
|
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
- IFS100B12N3E4_B31
- Infineon Technologies
-
1:
$100.96
-
43En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
641-IFS100B12N3E4B31
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT MIPAQ BASE 1200V 100A
|
|
43En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- BSC155N06NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.93
-
4,117En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC155N06NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
4,117En existencias
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.661
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.605
|
|
|
$0.576
|
|
|
$0.576
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
- BSP316PH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.99
-
38,707En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP316PH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
|
|
38,707En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.409
|
|
|
$0.316
|
|
|
$0.231
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R12KE4PBOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$209.62
-
65En existencias
-
80En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-FF600R12KE4PBOSA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
|
|
65En existencias
80En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
- FS100R12W2T7BOMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$64.72
-
154En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS100R12W2T7BOMA
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
|
|
154En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
- IPB017N06N3GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.87
-
5,482En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
|
|
5,482En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
- IPB180N04S4-H0
- Infineon Technologies
-
1:
$4.07
-
976En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
|
|
976En existencias
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.01
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R070CFD7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.99
-
831En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R070CFD7ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
831En existencias
|
|
|
$6.99
|
|
|
$4.65
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPB60R360P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.30
-
2,793En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R360P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
2,793En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.792
|
|
|
$0.64
|
|
|
$0.638
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.69
-
9,457En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET
|
|
9,457En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.719
|
|
|
$0.566
|
|
|
$0.517
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.59
-
3,880En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50P03P4L11ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
3,880En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.673
|
|
|
$0.529
|
|
|
$0.464
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.483
|
|
|
$0.438
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3-11
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
- IPD90P03P404ATMA2
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
3,314En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD90P03P404ATM2
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
|
|
3,314En existencias
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.982
|
|
|
$0.924
|
|
|
$0.879
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
- SPB21N50C3
- Infineon Technologies
-
1:
$3.22
-
1,432En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB21N50C3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 21A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
|
1,432En existencias
|
|
|
$3.22
|
|
|
$2.46
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
IGBTs DISCRETE SWITCHES
- AIKQ200N75CP2XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.54
-
1,377En existencias
-
1,200En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-AIKQ200N75CP2XKS
|
Infineon Technologies
|
IGBTs DISCRETE SWITCHES
|
|
1,377En existencias
1,200En pedido
|
|
|
$13.54
|
|
|
$8.23
|
|
|
$7.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
- BSC0925ND
- Infineon Technologies
-
1:
$1.30
-
7,001En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0925ND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8
|
|
7,001En existencias
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.818
|
|
|
$0.541
|
|
|
$0.441
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.335
|
|
|
$0.375
|
|
|
$0.352
|
|
|
$0.335
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TISON-8
|
|
|
|
Módulos IGBT 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
- FS150R12N2T7B54BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$86.85
-
39En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-FS150R12N2T7B54B
|
Infineon Technologies
|
Módulos IGBT 1200 V, 150 A sixpack IGBT module
|
|
39En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPA050N10NM5SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.18
-
1,627En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA050N10NM5SXKS
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,627En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.06
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
- IPB017N08N5
- Infineon Technologies
-
1:
$6.42
-
900En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N08N5
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
|
|
900En existencias
|
|
|
$6.42
|
|
|
$4.92
|
|
|
$3.98
|
|
|
$3.56
|
|
|
$3.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
- IPB020N08N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.32
-
900En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB020N08N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2
|
|
900En existencias
|
|
|
$5.32
|
|
|
$3.55
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
- IPB026N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.14
-
1,596En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
|
|
1,596En existencias
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.05
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
- IPB100N04S4H2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.54
-
1,892En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N04S4H2ATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T2
|
|
1,892En existencias
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.26
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.963
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.85
-
797En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R099CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
797En existencias
|
|
|
$5.85
|
|
|
$3.92
|
|
|
$2.82
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
- IPD50N04S408ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.22
-
6,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S408ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
6,202En existencias
|
|
|
$1.22
|
|
|
$0.743
|
|
|
$0.503
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.355
|
|
|
$0.302
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
|