4406 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V Vds +20, -16V Vgs PowerPAK 1212-8 10,860En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel 1 Channel 40 V 62.8 A 4.75 mOhms - 16 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 33.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 40V 78A 10,889En existencias
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: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 10,773En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 78 A 4.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V 23.7 nC - 55 C + 150 C 41.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30Vds 20Vgs 12A 50A 2.5W 8,000En existencias
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: 4,000

Si Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 20,005En existencias
5,000En pedido
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.02 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 16 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 30V 6.4A
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Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 6.4 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 9.5 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape