4407 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 3,960En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 30 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30Vds 25Vgs 3.2W -12A -55A 7,740En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000

Si Reel, Cut Tape

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 9.9 A 17 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 41 nC - 50 C + 155 C 1.45 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si 30 V 30 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Micro Commercial Components (MCC) Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas
Min.: 4,000
Mult.: 4,000
: 4,000
Si Reel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS 784En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT457 N-CH 60V 3.6A
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 60 V 3.6 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 8.8 nC - 55 C + 175 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape