4829 Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V No en existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOIC-8
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2,868En existencias
357En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
341En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
567En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT323 65V .1A PNP BJT
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
Hoja de datos
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Nexperia Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) SOT323 65V .1A PNP BJT
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 10,000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323-3
Infineon Technologies IFS150B12N3E4PB50BPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT LOW POWER ECONO Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 6
Mult.: 6

IGBT Modules Si