STMicroelectronics Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15A MDmesh FET
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
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2,116En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp
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MOSFETs Si SMD/SMT ISOTOP-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packa
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794En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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546En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
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1,852En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs N Ch 55V 6.5mohm 80A Pwr MOSFET
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics Módulos IGBT SLLIMM nano IPM, 3 A, 600 V, 3-phase inverter IGBT
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340En existencias
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IGBT Modules Si SMD/SMT NSDIP-26
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
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1,861En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A STripFET DG VI
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
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778En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
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340En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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585En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II
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589En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel