IXYS Transistores

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
IXYS IGBTs 1700V/58A High Volt
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269En existencias
270Se espera el 19/10/2026
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs XPT 1200V IGBT GenX5 XPT IGBT
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280En existencias
300En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs PLUS247 900V 140A GENX3
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300En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-3
IXYS IGBTs 2500V/95A , HV XPT IGBT Copacked
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201En existencias
210En pedido
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) ISOPLUS N-CH 75V 120A
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2,304En existencias
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MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-5 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 120A N-CH X3CLASS
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1,005En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Discrete MOSFET 70A 650V X3 TO247
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953En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) tbd Amps 500V 0.06 Ohms Rds
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209En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
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196En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 36 Amps 800V
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141En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
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510En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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321En existencias
270En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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3,684En existencias
2,500En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-263 package, MOSFET
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512En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1KV 6A N-CH DEPL
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691En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263AA-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
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667En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET
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1,129En existencias
150En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 1A N-CH POLAR
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428En existencias
300En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/9A Power MOSFET
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265En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 102 Amps 300V 0.033 Rds
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347En existencias
168En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET 100Amps 200V
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268En existencias
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Módulos MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
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MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 28 Amps 65V 0.045 Rds
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1,195En pedido
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 P-Channel
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 69 Amps 300V 0.049 Rds
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MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Standard Linear Power MOSFET
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196En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel