|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
- STB4NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.61
-
1,535En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB4NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,535En existencias
|
|
|
$2.61
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.942
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF12N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.34
-
1,055En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF12N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 420 mOhm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,055En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.848
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.752
|
|
|
$0.735
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220FP-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
- STF13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
966En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
|
|
966En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$3.71
|
|
|
$3.53
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
- STFU18N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.14
-
978En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
|
|
978En existencias
|
|
|
$3.14
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs PowerMESH" IGBT
- STGP14NC60KD
- STMicroelectronics
-
1:
$1.67
-
1,999En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP14NC60KD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs PowerMESH" IGBT
|
|
1,999En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$1.67
|
|
|
$0.842
|
|
|
$0.675
|
|
|
$0.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
- STGWA40H65DFB2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.89
-
550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H65DFB2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
|
|
550En existencias
|
|
|
$3.89
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.50
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL16N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.03
-
1,440En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL16N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.325 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
1,440En existencias
|
|
|
$3.03
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.13
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-HV-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
- STL52N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.10
-
1,501En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL52N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 72 mOhm typ., 45 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 H
|
|
1,501En existencias
|
|
|
$7.10
|
|
|
$5.05
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.40
|
|
|
$3.15
|
|
|
$3.00
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
- STP10N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.60
-
1,774En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
|
|
1,774En existencias
|
|
|
$1.60
|
|
|
$0.925
|
|
|
$0.873
|
|
|
$0.617
|
|
|
$0.598
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP24N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.79
-
792En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
792En existencias
|
|
|
$2.79
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
- STS10P4LLF6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.64
-
2,750En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package
|
|
2,750En existencias
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.695
|
|
|
$0.547
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.457
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOIC-8
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
- STW28N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$4.88
-
709En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW28N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
|
|
709En existencias
|
|
|
$4.88
|
|
|
$2.73
|
|
|
$1.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA75N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$14.10
-
398En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA75N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
398En existencias
|
|
|
$14.10
|
|
|
$11.33
|
|
|
$8.97
|
|
|
$8.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
- D44H8
- STMicroelectronics
-
1:
$1.65
-
2,597En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
D44H8
N.º de artículo de Mouser
511-D44H8
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Gen Low Voltage PWR 60V Vceo 10A Ic
|
|
2,597En existencias
|
|
|
$1.65
|
|
|
$0.784
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.496
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.459
|
|
|
$0.418
|
|
|
$0.402
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
- STD6N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.49
-
3,192En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD6N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
|
|
3,192En existencias
|
|
|
$1.49
|
|
|
$0.942
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.448
|
|
|
$0.401
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
- STD8N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$1.83
-
1,754En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
1,754En existencias
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.17
|
|
|
$0.775
|
|
|
$0.619
|
|
|
$0.557
|
|
|
$0.505
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
- STF10N105K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.59
-
1,025En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package
|
|
1,025En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$3.59
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
- STF10NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.55
-
768En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A
|
|
768En existencias
|
|
|
$3.55
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.71
|
|
|
$1.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
- STGB10H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.34
-
1,580En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGB10H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
|
|
1,580En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.743
|
|
|
$0.689
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK
|
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
- STGWA50H65DFB2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.00
-
548En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA50H65DFB2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
|
|
548En existencias
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.25
|
|
|
$1.82
|
|
|
$1.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
- STP11NK40Z
- STMicroelectronics
-
1:
$2.54
-
1,313En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,313En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
- STP11NK40ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.15
-
1,245En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A
|
|
1,245En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$1.58
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
- STP22NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.83
-
609En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh
|
|
609En existencias
|
|
|
$4.83
|
|
|
$2.23
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
- STP24NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.28
-
631En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP24NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II
|
|
631En existencias
|
|
|
$4.28
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP33N60M6
- STMicroelectronics
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1:
$5.03
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673En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
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673En existencias
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$5.03
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$3.34
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$2.38
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$2.11
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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