|
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
- A2U8M12W3-FC
- STMicroelectronics
-
1:
$210.38
-
18En existencias
-
18En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-A2U8M12W3-FC
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, SiC Power MOSFETs 750 & 1200V 100 A
|
|
18En existencias
18En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
56.7 mm x 48 mm
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
- M1P45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$56.30
-
122En existencias
-
125En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-M1P45M12W2-1LA
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC
|
|
122En existencias
125En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Press Fit
|
ACEPACK DMT-32
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
- SCT012W90G3-4AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.74
-
637En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT012W90G3-4AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package
|
|
637En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
- SCT016H120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$23.31
-
820En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT016H120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
|
|
820En existencias
|
|
|
$23.31
|
|
|
$16.87
|
|
|
$16.84
|
|
|
$16.83
|
|
|
$15.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
- SCT020HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$20.51
-
526En existencias
-
600En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT020HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
|
|
526En existencias
600En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
- SCT027H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.67
-
1,071En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT027H65G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
|
|
1,071En existencias
|
|
|
$12.67
|
|
|
$8.88
|
|
|
$7.72
|
|
|
$7.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
- SCT040HU120G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$13.51
-
617En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040HU120G3AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package
|
|
617En existencias
|
|
|
$13.51
|
|
|
$9.46
|
|
|
$8.34
|
|
|
$8.18
|
|
|
$7.79
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
HU3PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
- SCT055TO65G3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.53
-
1,764En existencias
-
1,799En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT055TO65G3
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
|
|
1,764En existencias
1,799En pedido
|
|
|
$8.53
|
|
|
$5.85
|
|
|
$5.16
|
|
|
$4.69
|
|
|
$4.29
|
|
|
$4.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
- STGIPNS4C60T-H
- STMicroelectronics
-
1:
$8.86
-
450En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGIPNS4C60T-H
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
IGBTs SLLIMM nano IPM, 5 A, 600 V, 3-phase inverter bridge IGBT
|
|
450En existencias
|
|
|
$8.86
|
|
|
$6.06
|
|
|
$4.90
|
|
|
$4.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBTs
|
Si
|
SMD/SMT
|
NSDIP-26
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
- STH65N050DM9-7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$9.00
-
995En existencias
-
1,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH65N050DM9-7AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET
|
|
995En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$9.00
|
|
|
$6.17
|
|
|
$4.91
|
|
|
$4.59
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
- STIB1560DM2-Z
- STMicroelectronics
-
1:
$17.43
-
157En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STIB1560DM2-Z
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET SLLIMM 2nd series IPM, 3-phase inverter 0.15 Ohm typ., 15 A, 600 V Power MOSFET
|
|
157En existencias
|
|
|
$17.43
|
|
|
$12.93
|
|
|
$12.92
|
|
|
$11.61
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
Si
|
Press Fit
|
SDIP2B-26
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
- STL165N4F8AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.04
-
3,047En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL165N4F8AG
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-Channel 40V, 2.6mOhm max, 154A STripFET F8 Power MOSFET
|
|
3,047En existencias
|
|
|
$2.04
|
|
|
$1.31
|
|
|
$0.882
|
|
|
$0.701
|
|
|
$0.649
|
|
|
$0.618
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
- STL300N4F8
- STMicroelectronics
-
1:
$2.59
-
5,946En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL300N4F8
Nuevo producto
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode 40V, 1.1mohm max, 290 STripFET F8 Power MOSFET
|
|
5,946En existencias
|
|
|
$2.59
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.856
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
- M1F45M12W2-1LA
- STMicroelectronics
-
1:
$49.25
-
519En existencias
-
528En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-M1F45M12W2-1LA
|
STMicroelectronics
|
Módulos MOSFET Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, fourpack topology, 1200V 47.5 mOhm
|
|
519En existencias
528En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
- STF14NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$4.61
-
1,605En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF14NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
|
|
1,605En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$2.15
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
- STL21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.33
-
2,732En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Mdmesh 650V .19 Ohms 1mm TO-220 17A (ID)
|
|
2,732En existencias
|
|
|
$4.33
|
|
|
$3.40
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.68
|
|
|
$2.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-HV-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
- STU3N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.96
-
2,988En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A
|
|
2,988En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$0.918
|
|
|
$0.836
|
|
|
$0.704
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.596
|
|
|
$0.584
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
- STW19NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$7.16
-
428En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW19NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A
|
|
428En existencias
|
|
|
$7.16
|
|
|
$4.00
|
|
|
$3.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
- STL31N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.91
-
2,921En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL31N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
|
|
2,921En existencias
|
|
|
$4.91
|
|
|
$3.26
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.04
|
|
|
$2.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CB4
- STMicroelectronics
-
1:
$172.48
-
20En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
511-RF2L16180CB4
NRND
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
20En existencias
|
|
|
$172.48
|
|
|
$140.06
|
|
|
$138.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
B4E-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
- STF6N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.55
-
1,671En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
|
|
1,671En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
- STFU28N65M2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.86
-
1,737En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU28N65M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
|
|
1,737En existencias
|
|
|
$3.86
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
- STL13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.40
-
2,200En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
|
|
2,200En existencias
|
|
|
$3.40
|
|
|
$2.22
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8x8-5
|
N-Channel
|
|
|
|
Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
- A2C25S12M3
- STMicroelectronics
-
1:
$54.80
-
33En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-A2C25S12M3
|
STMicroelectronics
|
Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
|
|
33En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Through Hole
|
ACEPACK2
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
- STB22NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$3.23
-
1,020En existencias
-
Verificar estado con la fábrica
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N
Verificar estado con la fábrica
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
|
|
1,020En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|