STMicroelectronics Transistores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5 1,317En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A 3,422En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected 4,380En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR 878En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs N Ch 600V 19A 2,923En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss 3,670En existencias
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IGBT Transistors Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 580En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs 600V 65A N-Channel 979En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET 1,254En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po 1,873En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 3,195En existencias
3,000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET 2,190En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected 5,413En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 31 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV 1,923En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG 9,677En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-2x2-6 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 18A Mosfet PowerFLAT STripFET V 4,461En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ., 7 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3 4,033En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.00 Ohm typ., 5.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a SOT223-2 packa 7,979En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH 1,259En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package 6,632En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5 718En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0 120 Ohm typ 24 A 990En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package 976En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8.0 A Zener SuperMESH 1,885En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package 5,873En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-251-3 N-Channel