|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW36N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.00
-
2,969En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW36N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 85 mOhm typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
2,969En existencias
|
|
|
$7.00
|
|
|
$4.02
|
|
|
$3.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STW65N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$10.44
-
498En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW65N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
498En existencias
|
|
|
$10.44
|
|
|
$6.27
|
|
|
$5.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
- STW7NK90Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.66
-
943En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW7NK90Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
|
|
943En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$2.49
|
|
|
$2.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW8N120K5
- STMicroelectronics
-
1:
$8.04
-
794En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW8N120K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
794En existencias
|
|
|
$8.04
|
|
|
$4.39
|
|
|
$3.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
- STWA48N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$9.66
-
385En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA48N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
|
|
385En existencias
|
|
|
$9.66
|
|
|
$6.86
|
|
|
$5.36
|
|
|
$4.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
- MJD47T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.46
-
11,413En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
MJD47T4
N.º de artículo de Mouser
511-MJD47
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
|
|
11,413En existencias
|
|
|
$1.46
|
|
|
$0.921
|
|
|
$0.613
|
|
|
$0.48
|
|
|
$0.388
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.437
|
|
|
$0.347
|
|
|
$0.339
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
- PD55015-E
- STMicroelectronics
-
1:
$22.79
-
167En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55015-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
|
|
167En existencias
|
|
|
$22.79
|
|
|
$16.46
|
|
|
$15.56
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
- SCT040H65G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
$11.32
-
966En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCT040H65G3AG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
|
|
966En existencias
|
|
|
$11.32
|
|
|
$7.68
|
|
|
$6.62
|
|
|
$6.61
|
|
|
$6.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
- SCTW40N120G2VAG
- STMicroelectronics
-
1:
$17.20
-
549En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTW40N120G2VAG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
|
|
549En existencias
|
|
|
$17.20
|
|
|
$10.67
|
|
|
$10.65
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
- SCTW70N120G2V
- STMicroelectronics
-
1:
$32.55
-
714En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-SCTW70N120G2V
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
|
|
714En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
SiC
|
Through Hole
|
HiP-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
- STB28N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.62
-
1,882En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB28N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
|
|
1,882En existencias
|
|
|
$2.62
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.16
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.869
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STB30N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.89
-
816En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB30N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
816En existencias
|
|
|
$6.89
|
|
|
$4.83
|
|
|
$3.61
|
|
|
$3.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
- STB46N30M5
- STMicroelectronics
-
1:
$9.42
-
937En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB46N30M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
|
|
937En existencias
|
|
|
$9.42
|
|
|
$6.46
|
|
|
$5.21
|
|
|
$5.20
|
|
|
$4.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STB47N60DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.48
-
998En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB47N60DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
998En existencias
|
|
|
$7.48
|
|
|
$5.08
|
|
|
$3.86
|
|
|
$3.84
|
|
|
$3.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
- STD10P6F6
- STMicroelectronics
-
1:
$1.38
-
11,863En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD10P6F6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
|
|
11,863En existencias
|
|
|
$1.38
|
|
|
$0.863
|
|
|
$0.571
|
|
|
$0.45
|
|
|
$0.365
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.406
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.353
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
P-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
- STD18N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.49
-
1,315En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD18N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
|
|
1,315En existencias
|
|
|
$3.49
|
|
|
$2.28
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.29
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
- STD3NK80Z-1
- STMicroelectronics
-
1:
$2.66
-
3,422En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD3NK80Z-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
|
|
3,422En existencias
|
|
|
$2.66
|
|
|
$1.08
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.935
|
|
|
$0.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
- STD5N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.41
-
4,380En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
|
|
4,380En existencias
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.842
|
|
|
$0.816
|
|
|
$0.77
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
- STF23NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.01
-
878En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF23NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.162 Ohm 17A MDmesh II PWR
|
|
878En existencias
|
|
|
$5.01
|
|
|
$2.63
|
|
|
$2.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
- STGWA40H120F2
- STMicroelectronics
-
1:
$7.42
-
580En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGWA40H120F2
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
|
|
580En existencias
|
|
|
$7.42
|
|
|
$4.28
|
|
|
$3.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
|
|
|
|
|
IGBTs 600V 65A N-Channel
- STGY50NC60WD
- STMicroelectronics
-
1:
$16.43
-
979En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGY50NC60WD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 600V 65A N-Channel
|
|
979En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
Max247-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
- STH310N10F7-6
- STMicroelectronics
-
1:
$6.51
-
1,254En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STH310N10F7-6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 V 2.1 mOhm 180 A STripFET
|
|
1,254En existencias
|
|
|
$6.51
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.20
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
- STL105N8F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.58
-
1,873En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL105N8F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 80 V, 5.6 mOhm typ., 95 A, STripFET F7 Power MOSFET in a Po
|
|
1,873En existencias
|
|
|
$2.58
|
|
|
$1.62
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.917
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.854
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
- STL13N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.78
-
3,195En existencias
-
3,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL13N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.350 Ohm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
|
|
3,195En existencias
3,000En pedido
|
|
|
$2.78
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.999
|
|
|
$0.932
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
- STL190N4F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.72
-
2,190En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL190N4F7AG
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET
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2,190En existencias
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$2.72
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$1.74
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$1.19
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$0.986
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$0.843
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$0.829
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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PowerFLAT-5x6-8
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N-Channel
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