OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
Hoja de datos
2,990En existencias
Min.: 1
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: 3,000

Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
6,272En existencias
2,000En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
4,277En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) 7,482En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)
Hoja de datos
9,985En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
5,678En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 200 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 63 nC - 55 C + 175 C 169 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6,379En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 165 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 51.5 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
6,660En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 35.2 nC - 55 C + 175 C 118 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(
Hoja de datos
4,120En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
1,043En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 156 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 3-pin package
Hoja de datos
2,138En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 90 A 8 mOhms 20 V 4 V 29 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
1,749En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT PG-TO263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in DPAK 7-pin package
Hoja de datos
1,232En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 190 A 3.4 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
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2,382En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 178 A 3.6 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TO-220 package
Hoja de datos
1,489En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 128 A 5.4 mOhms 20 V 4 V 44 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
Hoja de datos
1,915En existencias
500En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PG-TO220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 116 A 8.7 mOhms 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
3,835En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLL package
Hoja de datos
3,918En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 150 V 147 A 4.4 mOhms 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 power MOSFET 150 V normal level in TOLT package for top-side cooling
Hoja de datos
1,640En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 150 V 194 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
3,852En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 597 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 130 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
Hoja de datos
2,763En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 40 V 597 A 490 uOhms - 20 V, 20 V 2.8 V 130 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
Hoja de datos
1,420En existencias
Más información disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 445 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 120 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
2,315En existencias
10,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
Hoja de datos
3,808En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 323 A 1.57 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
Hoja de datos
3,888En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 276 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 107 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape