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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

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Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
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IPB011N04L G

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726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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$3.94

$2.58

$1.90

$1.72

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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5,059En existencias

Cinta cortada

$4.97

$3.64

$2.95

$2.62

Envase tipo carrete

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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IPD025N06NATMA1

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726-IPD025N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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7,219En existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
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IPD90N04S4L-04

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726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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MouseReel Disponible

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DPAK-3 (TO-252-3)

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90 A

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- 20 V, 20 V

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60 nC

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0924NDI
Infineon Technologies
1: $1.55
4,168En existencias

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BSC0924NDI

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726-BSC0924NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,168En existencias

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TISON-8

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$2.75

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$1.51

$1.50

Envase tipo carrete

$1.50

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346 nC

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Infineon Technologies
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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Cinta cortada

$4.84

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$2.51

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Envase tipo carrete

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180 A

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250 W

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Infineon Technologies
1: $1.84
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IPB090N06N3 G

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Infineon Technologies

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$1.84

$1.18

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Envase tipo carrete

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MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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3 V

36 nC

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+ 175 C

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: $3.65
9,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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$1.47

Envase tipo carrete

$1.37

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- 20 V, 20 V

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Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: $2.50
17,876En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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17,876En existencias

Cinta cortada

$2.50

$1.60

$1.09

$0.908

$0.799

Envase tipo carrete

$0.786

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136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: $1.23
16,189En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

16,189En existencias

Cinta cortada

$1.23

$0.767

$0.505

$0.401

$0.356

Envase tipo carrete

$0.302

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

50 A

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- 20 V, 20 V

2 V

22.4 nC

- 55 C

+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB017N06N3GATMA1
Infineon Technologies
1: $4.56
5,482En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB017N06N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N06N3GATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

5,482En existencias

Cinta cortada

$4.56

$3.02

$2.14

$1.98

Envase tipo carrete

$1.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

275 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-H0
Infineon Technologies
1: $4.07
976En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-H0

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-H0

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

976En existencias

Cinta cortada

$4.07

$2.67

$2.01

$1.78

Envase tipo carrete

$1.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

900 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

225 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD50N06S4L08ATMA2
Infineon Technologies
1: $1.69
9,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N06S4L08ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N06S4L08ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

Hoja de datos

9,498En existencias

Cinta cortada

$1.69

$1.08

$0.719

$0.566

$0.517

Envase tipo carrete

$0.477

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

7.8 mOhms

- 16 V, 16 V

1.7 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.23
10,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

10,931En existencias

Cinta cortada

$3.23

$2.10

$1.54

$1.29

$1.12

Envase tipo carrete

$1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.54
11,030En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

11,030En existencias

Cinta cortada

$2.54

$1.67

$1.12

$0.897

Ver

Envase tipo carrete

$0.832

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: $5.89
2,566En existencias
997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,566En existencias

997En pedido

Cinta cortada

$5.89

$4.46

$3.61

$3.22

Envase tipo carrete

$2.83

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

243 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
Infineon Technologies
1: $6.30
1,200En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB036N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB036N12N3GXT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

1,200En existencias

Cinta cortada

$6.30

$4.83

$3.91

$3.47

Envase tipo carrete

$3.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

IPB120N06S403ATMA2
Infineon Technologies
1: $3.62
2,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N06S403ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N06S403ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,000En existencias

Cinta cortada

$3.62

$2.37

$1.65

$1.44

Envase tipo carrete

$1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: $3.09
13,664En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,664En existencias

Cinta cortada

$3.09

$2.00

$1.47

$1.24

$1.10

Envase tipo carrete

$1.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

BSC0925ND
Infineon Technologies
1: $1.30
7,001En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0925ND

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0925ND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 40A TISON-8

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SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

80 V

120 A

1.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

223 nC

- 55 C

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2

IPB020N08N5ATMA1
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D2PAK-3 (TO-263-3)

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80 V

120 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

133 nC

- 55 C

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IPB026N06NATMA1
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IPB026N06NATMA1

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726-IPB026N06NATMA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

60 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S405ATMA2
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IPD90N06S405ATMA2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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DPAK-3 (TO-252-3)

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60 V

90 A

5.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

81 nC

- 55 C

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AEC-Q101

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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W