|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
- ISC300N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.66
-
5,141En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISC300N20NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
|
|
5,141En existencias
|
|
|
$3.66
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
44 A
|
30 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
4.5 V
|
17 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
136 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISCH54N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.43
-
3,693En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
|
|
3,693En existencias
|
|
|
$3.43
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.21
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.21
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
458 A
|
500 uOhms
|
20 V
|
3.15 V
|
117 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
214 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISCH69N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.98
-
3,409En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
|
|
3,409En existencias
|
|
|
$2.98
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.34
|
|
|
$1.11
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.997
|
|
|
$1.06
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.997
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
357 A
|
650 uOhms
|
20 V
|
3.15 V
|
85 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
167 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISCH99N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
3,720En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
|
|
3,720En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.14
|
|
|
$0.905
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.81
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.81
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
284 A
|
900 uOhms
|
20 V
|
3.15 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISZ015N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.94
-
3,889En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
|
|
3,889En existencias
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.24
|
|
|
$0.832
|
|
|
$0.659
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.552
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.581
|
|
|
$0.552
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
177 A
|
1.4 mOhms
|
20 V
|
3.15 V
|
37 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
- BSC060N10NS3 G
- Infineon Technologies
-
1:
$2.72
-
16,192En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC060N10NS3G
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 3
|
|
16,192En existencias
|
|
|
$2.72
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.987
|
|
|
$0.914
|
|
|
$0.855
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
90 A
|
5.3 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8
- BSC0901NSIXT
- Infineon Technologies
-
1:
$1.70
-
3,576En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC0901NSIATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8
|
|
3,576En existencias
|
|
|
$1.70
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.718
|
|
|
$0.588
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.468
|
|
|
$0.515
|
|
|
$0.474
|
|
|
$0.468
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
100 A
|
1.7 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
69 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
- BSC265N10LSF G
- Infineon Technologies
-
1:
$1.50
-
2,155En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC265N10LSFG
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
|
|
2,155En existencias
|
|
|
$1.50
|
|
|
$0.946
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.496
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.394
|
|
|
$0.447
|
|
|
$0.41
|
|
|
$0.394
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
40 A
|
20 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
1.2 V
|
21 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
78 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
- IAUCN04S7L037HATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.18
-
780En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L037HAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
|
|
780En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.638
|
|
|
$0.612
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.577
|
|
|
$0.591
|
|
|
$0.577
|
|
|
$0.577
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
2 Channel
|
40 V
|
84 A
|
3.78 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
15 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
50 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUCN04S7N040HATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
864En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040HAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
864En existencias
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.30
|
|
|
$0.872
|
|
|
$0.692
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.577
|
|
|
$0.606
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.577
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
2 Channel
|
40 V
|
82 A
|
4.01 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
52 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN04S7L019ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.61
-
881En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
881En existencias
|
|
|
$1.61
|
|
|
$1.02
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.532
|
|
|
$0.429
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.469
|
|
|
$0.425
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
154 A
|
1.9 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
34 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN04S7N032ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.33
-
702En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
702En existencias
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.836
|
|
|
$0.552
|
|
|
$0.43
|
|
|
$0.338
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.321
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
97 A
|
3.25 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
58 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
- IAUZN08S7L177ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.37
-
2,938En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
|
|
2,938En existencias
|
|
|
$1.37
|
|
|
$0.86
|
|
|
$0.568
|
|
|
$0.448
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.336
|
|
|
$0.374
|
|
|
$0.373
|
|
|
$0.336
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
35 A
|
17.7 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
11.8 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
45 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
- IPB175N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.91
-
716En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB175N20NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
|
|
716En existencias
|
|
|
$3.91
|
|
|
$2.56
|
|
|
$1.80
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.42
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
61 A
|
15.5 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
203 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
- IPP175N20NM6AKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.19
-
347En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP175N20NM6AKSA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
|
|
347En existencias
|
|
|
$3.19
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.19
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
61 A
|
15.5 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
31 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
203 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
- IQE036N08NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.52
-
720En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6ATMA
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
|
|
720En existencias
|
|
|
$3.52
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.34
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.29
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
- IQE036N08NM6CGATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.52
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776En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGAT
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
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776En existencias
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$3.52
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$2.30
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$1.60
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$1.34
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Ver
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$1.23
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$1.29
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$1.27
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$1.23
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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Si
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
- IQE036N08NM6CGSCATMA1
- Infineon Technologies
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1:
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538En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6CGSC
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V
|
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538En existencias
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$3.77
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$2.47
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$1.73
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$1.47
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Ver
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$1.35
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$1.41
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$1.40
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$1.35
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Min.: 1
Mult.: 1
:
6,000
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|
Si
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
- ISC016N04NM7VATMA1
- Infineon Technologies
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1:
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2,804En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V
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2,804En existencias
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$1.65
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Ver
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$0.44
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5,000
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Si
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SMD/SMT
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TDSON-8
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N-Channel
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1 Channel
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40 V
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174 A
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1.49 mOhms
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20 V
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3.15 V
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37 nC
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+ 175 C
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94 W
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Enhancement
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OptiMOS
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
- ISC060N06NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.80
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3,500En existencias
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Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-ISC060N06NM6ATMA
Nuevo producto
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
|
|
3,500En existencias
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$0.80
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Ver
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
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|
Si
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SMD/SMT
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PG-TDSON-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
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62 A
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6 mOhms
|
20 V
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3.3 V
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12.4 nC
|
- 55 C
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+ 175 C
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50 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
- IPTC068N20NM6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.93
-
7,192En existencias
-
1,800En pedido
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IPTC068N20NM6ATM
Nuevo producto
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Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power-Transistor, 200 V
|
|
7,192En existencias
1,800En pedido
|
|
|
$8.93
|
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$6.10
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,800
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Si
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SMD/SMT
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N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
140 A
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6.8 mOhms
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20 V
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4.5 V
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71 nC
|
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+ 175 C
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319 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.77
-
9,953En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IQD020N10NM5SCAT
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
9,953En existencias
|
|
|
$5.77
|
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$3.86
|
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$2.78
|
|
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$2.72
|
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$2.62
|
|
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$2.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
276 A
|
2.05 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.8 V
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107 nC
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333 W
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Enhancement
|
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OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.55
-
7,732En existencias
-
5,000En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IQDH88N06LM5CGSC
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
7,732En existencias
5,000En pedido
|
|
|
$5.55
|
|
|
$3.78
|
|
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$2.71
|
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$2.51
|
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$2.43
|
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$2.34
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
447 A
|
860 uOhms
|
- 20 V, 20 V
|
2.3 V
|
76 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
333 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT017N10NM5LF2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.03
-
7,015En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT017N10NM5LF2A
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
7,015En existencias
|
|
|
$6.03
|
|
|
$4.19
|
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|
$3.03
|
|
|
$3.02
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|
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$2.86
|
|
|
$2.82
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
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|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
321 A
|
1.6 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.9 V
|
165 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT023N10NM5LF2ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.95
-
1,625En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT023N10NM5LF2A
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
1,625En existencias
|
|
|
$4.95
|
|
|
$3.29
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.21
|
|
|
$2.10
|
|
|
$2.07
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PG-HSOF-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
243 A
|
2.1 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3.9 V
|
115 nC
|
- 55 C
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+ 175 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
OptiMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
