2220 Transistores

Tipos de Transistores

Cambiar Vista por categorías
Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205L 3,010En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MOSFETs Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206W 56En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MOSFETs Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH NexFET Pwr MOSF ET 8,101En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22205LT 3,468En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PICOSTAR-4 P-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sin A A 595-CSD22206WT 2,910En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8-V P-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD22204W 134En existencias
250En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MOSFETs Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -8V P channel NexFE T power MOSFET sing A 595-CSD22204WT 2,990En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DSBGA-9 P-Channel
Ampleon RF MOSFET Transistors BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP

RF MOSFETs LDMOS SMD/SMT SOT1483-1-3 N-Channel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V 3.5A P-CHNL
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT DFN-2020-6 P-Channel