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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
- CSD87355Q5D
- Texas Instruments
-
1:
$2.34
-
2,610En existencias
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N.º de artículo de Mouser
595-CSD87355Q5D
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Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 45A Sync Buck NexFET Power Block A 595-C A 595-CSD87355Q5DT
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2,610En existencias
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$2.34
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$1.59
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$1.34
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$1.28
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$1.17
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$1.10
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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LSON-CLIP-8
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D
- CSD87355Q5DT
- Texas Instruments
-
1:
$4.15
-
199En existencias
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N.º de artículo de Mouser
595-CSD87355Q5DT
|
Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87355Q5D
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199En existencias
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$4.15
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$2.73
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$1.72
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$1.72
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$1.63
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Min.: 1
Mult.: 1
:
250
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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LSON-CLIP-8
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET
Texas Instruments CSD87355Q5DG4
- CSD87355Q5DG4
- Texas Instruments
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2,500:
$1.27
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
595-CSD87355Q5DG4
Nuevo producto
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Texas Instruments
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30-V N channel sync hronous buck NexFET
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 2,500
Mult.: 2,500
:
2,500
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MOSFETs
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
- IPD020N03LF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.78
-
5,279En existencias
-
Nuevo producto
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N.º de artículo de Mouser
726-IPD020N03LF2SATM
Nuevo producto
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Addresses a broad range of applications from low- to high-switching frequency
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5,279En existencias
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$1.78
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$1.14
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$0.762
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$0.602
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$0.55
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$0.513
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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MOSFETs
|
Si
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SMD/SMT
|
TO-252-3
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
- IPI60R125CP
- Infineon Technologies
-
500:
$2.64
-
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
-
NRND
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N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R125CP
NRND
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP
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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
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Min.: 500
Mult.: 500
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MOSFETs
|
Si
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Through Hole
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TO-262-3
|
N-Channel
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G2324N10DLX
- Ampleon
-
3,000:
$18.63
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLX
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Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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Min.: 3,000
Mult.: 3,000
:
3,000
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RF MOSFETs
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LDMOS
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SMD/SMT
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LGA-20
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
- B10G2324N10DLZ
- Ampleon
-
1,000:
$18.63
-
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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N.º de artículo de Mouser
94-B10G2324N10DLZ
|
Ampleon
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
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Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
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|
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
:
1,000
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RF MOSFETs
|
LDMOS
|
SMD/SMT
|
LGA-20
|
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