|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264
- APT24M120L
- Microchip Technology
-
1:
$17.31
-
1En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT24M120L
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264
|
|
1En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
24 A
|
500 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
260 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.04 kW
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247
- APT30F50B
- Microchip Technology
-
1:
$4.89
-
89En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT30F50B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247
|
|
89En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 A
|
170 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
115 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
415 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268
- APT30M61SFLLG
- Microchip Technology
-
1:
$15.34
-
34En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT30M61SFLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268
|
|
34En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
300 V
|
54 A
|
61 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
64 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
403 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-268
- APT5017SVRG
- Microchip Technology
-
1:
$13.38
-
49En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5017SVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-268
|
|
49En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D3PAK-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 A
|
170 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
200 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
370 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX
- APT56F50B2
- Microchip Technology
-
1:
$12.11
-
37En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT56F50B2
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX
|
|
37En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
T-MAX-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
56 A
|
100 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
220 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
780 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 25 Ohm TO-247
- APT6025BVRG
- Microchip Technology
-
1:
$15.37
-
62En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT6025BVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 25 Ohm TO-247
|
|
62En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
25 A
|
250 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2 V
|
275 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
370 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 75 A TO-264
- APT75M50L
- Microchip Technology
-
1:
$13.69
-
36En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT75M50L
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 75 A TO-264
|
|
36En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
75 A
|
75 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
290 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.04 kW
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
- APT7F120B
- Microchip Technology
-
1:
$5.42
-
100En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT7F120B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
|
|
100En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
7 A
|
1.57 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
80 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
335 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 800 V 52 Ohm TO-247
- APT8052BLLG
- Microchip Technology
-
1:
$14.91
-
30En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT8052BLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 800 V 52 Ohm TO-247
|
|
30En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
15 A
|
520 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
75 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
298 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264
Microchip Technology APT10035LLLG
- APT10035LLLG
- Microchip Technology
-
1:
$32.49
-
29En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT10035LLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264
|
|
29En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
28 A
|
350 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
186 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
690 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- TN0104N3-G-P003
- Microchip Technology
-
1:
$1.28
-
761En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN0104N3-G-P003
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
761En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.98
|
|
|
$0.98
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
450 mA
|
5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
1.6 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- VN10KN3-G-P013
- Microchip Technology
-
1:
$0.72
-
1,170En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN10KN3-G-P013
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
1,170En existencias
|
|
|
$0.72
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.54
|
|
|
$0.54
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
310 mA
|
7.5 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
800 mV
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 W
|
Enhancement
|
|
Ammo Pack
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
- DN2540N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.06
-
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
|
|
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
400 V
|
170 mA
|
25 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Depletion
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
- APT37M100L
- Microchip Technology
-
1:
$19.96
-
35En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT37M100L
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
|
|
35En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
37 A
|
290 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
305 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.135 kW
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
- APT7M120B
- Microchip Technology
-
1:
$5.20
-
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT7M120B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
8 A
|
1.5 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
80 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
335 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
- TN2540N3-G-P002
- Microchip Technology
-
1:
$1.67
-
|
N.º de artículo de Mouser
689-TN2540N3-G-P002
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
|
|
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.27
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
400 V
|
175 mA
|
12 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 3.5Ohm
- TP2510N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.54
-
|
N.º de artículo de Mouser
689-TP2510N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 3.5Ohm
|
|
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.28
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.15
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
P-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
480 mA
|
3.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
1 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Linear 500 V 58 A TO-264
- APL502LG
- Microchip Technology
-
1:
$54.84
-
25En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APL502LG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Linear 500 V 58 A TO-264
|
|
25En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
58 A
|
90 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
730 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
- APT1001RBVRG
- Microchip Technology
-
1:
$14.09
-
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT1001RBVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
11 A
|
1 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
2 V
|
225 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
280 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
- APT13F120B
- Microchip Technology
-
1:
$9.66
-
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT13F120B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
14 A
|
910 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
145 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
625 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
- APT20M22LVRG
- Microchip Technology
-
1:
$19.93
-
129En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT20M22LVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
|
|
129En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
200 V
|
100 A
|
22 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2 V
|
435 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
520 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
- APT60N60BCSG
- Microchip Technology
-
1:
$20.27
-
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT60N60BCSG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
|
|
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
60 A
|
45 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
150 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
431 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 4Ohm
- VN2106N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.50
-
2,698En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
689-VN2106N3-G
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Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 4Ohm
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2,698En pedido
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$0.50
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$0.42
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$0.37
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-92-3
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N-Channel
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1 Channel
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60 V
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300 mA
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4 Ohms
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- 20 V, 20 V
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800 mV
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- 55 C
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+ 150 C
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1 W
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Enhancement
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Bulk
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247
- APT42F50B
- Microchip Technology
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1:
$9.24
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N.º de artículo de Mouser
494-APT42F50B
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Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
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1 Channel
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500 V
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42 A
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110 mOhms
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- 30 V, 30 V
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4 V
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170 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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625 W
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Enhancement
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Power MOS 8
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Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 15 Ohm TO-264
- APT6015LVRG
- Microchip Technology
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1:
$21.24
-
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N.º de artículo de Mouser
494-APT6015LVRG
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Microchip Technology
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 15 Ohm TO-264
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-247-3
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N-Channel
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1 Channel
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600 V
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38 A
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150 mOhms
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- 30 V, 30 V
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2 V
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475 nC
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- 55 C
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+ 150 C
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520 W
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Enhancement
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Tube
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