Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264 1En existencias
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247 89En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 300 V 61 mOhm TO-268 34En existencias
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 300 V 54 A 61 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 17 Ohm TO-268 49En existencias
Min.: 1
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Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 200 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX 37En existencias
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Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 25 Ohm TO-247 62En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 370 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 75 A TO-264 36En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 75 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 290 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247 100En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.57 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 800 V 52 Ohm TO-247 30En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 75 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement Tube
Microchip Technology APT10035LLLG
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 1000 V 35 Ohm TO-264 29En existencias
Min.: 1
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 28 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 186 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 761En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 40 V 450 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 1.6 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET 1,170En existencias
Min.: 1
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Ammo Pack

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
35En pedido
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 37 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
Min.: 1
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 175 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 2 V - 55 C + 150 C 740 mW Enhancement Reel, Cut Tape

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V 3.5Ohm
Min.: 1
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 P-Channel 1 Channel 100 V 480 mA 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 1 V - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Linear 500 V 58 A TO-264
25En pedido
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 58 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V - 55 C + 150 C 730 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 1000 V 1 Ohm TO-247
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 11 A 1 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 225 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 200 V 22 mOhm TO-264
129En pedido
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 100 A 22 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 435 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET COOLMOS 600 V 60 A TO-247
Min.: 1
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 45 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 431 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 4Ohm
2,698En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 4 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 170 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 15 Ohm TO-264
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 475 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube