Microchip Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 24 A TO-247 186En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-247 MAX 35En existencias
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Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 30 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247 66En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 37 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 20 Ohm TO-247 107En existencias
359En pedido
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 26 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 225 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 24 Ohm TO-247 16En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 22 A 240 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 265 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOS 7 MOSFET 30En existencias
30En pedido
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 57 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 570 W Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264 52En existencias
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Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 25 Ohm TO-247 5En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 29 Ohm TO-247 3En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 65 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 30 Ohm TO-247 40En existencias
177En pedido
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 298 W Enhancement Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247 67En existencias
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Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.53 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 5Ohm 3,708En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 200 mA 5 Ohms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 7.5Ohm 434En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 7.5 Ohms - 30 V, 30 V 1 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 12Ohm 1,262En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 300 V 175 mA 12 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm 537En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 350 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Depletion Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm 695En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 350 V 500 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 15 W Depletion Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm 1,174En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 400 V 120 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1 W Depletion Bulk

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm 1,078En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 400 V 170 mA 25 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 3.3A 768En existencias
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: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 250 V 1.1 A 3.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.1 V - 55 C + 150 C Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 20Ohm 1,075En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 450 V 136 mA 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm 2,884En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Bulk
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET 923En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Reel, Cut Tape
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET 1,880En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Ammo Pack
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET 890En existencias
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: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 740 mW Depletion Ammo Pack

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm 1,086En existencias
5,900En pedido
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: 2,000

Si SMD/SMT SOT-89-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 mA 1 kOhms - 20 V, 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 1.6 W Depletion Reel, Cut Tape, MouseReel