|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 24 A TO-247
- APT24F50B
- Microchip Technology
-
1:
$4.37
-
186En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT24F50B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 24 A TO-247
|
|
186En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
24 A
|
240 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
90 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
335 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-247 MAX
- APT29F100B2
- Microchip Technology
-
1:
$17.28
-
35En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT29F100B2
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-247 MAX
|
|
35En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
T-MAX-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
30 A
|
440 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
260 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.04 kW
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247
- APT37F50B
- Microchip Technology
-
1:
$6.22
-
66En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT37F50B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247
|
|
66En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
37 A
|
130 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
145 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
520 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 20 Ohm TO-247
- APT5020BVRG
- Microchip Technology
-
1:
$10.00
-
107En existencias
-
359En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5020BVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 500 V 20 Ohm TO-247
|
|
107En existencias
359En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
26 A
|
200 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2 V
|
225 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 24 Ohm TO-247
- APT5024BLLG
- Microchip Technology
-
1:
$8.25
-
16En existencias
-
17En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT5024BLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 24 Ohm TO-247
|
|
16En existencias
17En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
22 A
|
240 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
43 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
265 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOS 7 MOSFET
- APT50M75LLLG
- Microchip Technology
-
1:
$21.06
-
30En existencias
-
30En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT50M75LLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOS 7 MOSFET
|
|
30En existencias
30En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
57 A
|
75 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
570 W
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264
- APT56M50L
- Microchip Technology
-
1:
$10.57
-
52En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT56M50L
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264
|
|
52En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-264-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
56 A
|
85 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
220 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
780 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 25 Ohm TO-247
- APT6025BLLG
- Microchip Technology
-
1:
$14.35
-
5En existencias
-
35En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT6025BLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 25 Ohm TO-247
|
|
5En existencias
35En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 29 Ohm TO-247
- APT6029BLLG
- Microchip Technology
-
1:
$13.07
-
3En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT6029BLLG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 600 V 29 Ohm TO-247
|
|
3En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
21 A
|
290 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3 V
|
65 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
300 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 30 Ohm TO-247
- APT6030BVRG
- Microchip Technology
-
1:
$12.52
-
40En existencias
-
177En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT6030BVRG
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS5 600 V 30 Ohm TO-247
|
|
40En existencias
177En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
21 A
|
300 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
150 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
298 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247
- APT8M100B
- Microchip Technology
-
1:
$4.12
-
67En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
494-APT8M100B
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247
|
|
67En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
1 kV
|
8 A
|
1.53 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
4 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
290 W
|
Enhancement
|
Power MOS 8
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 5Ohm
- 2N7000-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.50
-
3,708En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-2N7000-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 5Ohm
|
|
3,708En existencias
|
|
|
$0.50
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
200 mA
|
5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
800 mV
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 W
|
Enhancement
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 7.5Ohm
- 2N7008-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.68
-
434En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-2N7008-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V 7.5Ohm
|
|
434En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.56
|
|
|
$0.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
230 mA
|
7.5 Ohms
|
- 30 V, 30 V
|
1 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 W
|
Enhancement
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 12Ohm
- DN2530N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.79
-
1,262En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2530N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 12Ohm
|
|
1,262En existencias
|
|
|
$0.79
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
300 V
|
175 mA
|
12 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Depletion
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm
- DN2535N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.91
-
537En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2535N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm
|
|
537En existencias
|
|
|
$0.91
|
|
|
$0.77
|
|
|
$0.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
350 V
|
120 mA
|
25 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 W
|
Depletion
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm
- DN2535N5-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.69
-
695En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2535N5-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 350V 25Ohm
|
|
695En existencias
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.40
|
|
|
$1.28
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
350 V
|
500 mA
|
25 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
15 W
|
Depletion
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
- DN2540N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.97
-
1,174En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
|
|
1,174En existencias
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.73
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
400 V
|
120 mA
|
25 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1 W
|
Depletion
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
- DN2540N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.06
-
1,078En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2540N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 400V 25Ohm
|
|
1,078En existencias
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.80
|
|
|
$0.80
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
400 V
|
170 mA
|
25 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Depletion
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 3.3A
- DN2625K4-G
- Microchip Technology
-
1:
$1.63
-
768En existencias
-
3,899En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625K4-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V 3.3A
|
|
768En existencias
3,899En pedido
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.36
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
250 V
|
1.1 A
|
3.5 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
2.1 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
|
Depletion
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 20Ohm
- DN3545N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.90
-
1,075En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN3545N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 450V 20Ohm
|
|
1,075En existencias
|
|
|
$0.90
|
|
|
$0.76
|
|
|
$0.69
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
450 V
|
136 mA
|
20 Ohms
|
- 20 V, 20 V
|
3.5 V
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Depletion
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm
- LND150N3-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.60
-
2,884En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N3-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm
|
|
2,884En existencias
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.46
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 mA
|
1 kOhms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Depletion
|
|
Bulk
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
- LND150N3-G-P002
- Microchip Technology
-
1:
$0.68
-
923En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N3-G-P002
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
|
|
923En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 mA
|
1 kOhms
|
- 20 V, 20 V
|
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- 55 C
|
+ 150 C
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740 mW
|
Depletion
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Reel, Cut Tape
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
- LND150N3-G-P013
- Microchip Technology
-
1:
$0.68
-
1,880En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N3-G-P013
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
|
|
1,880En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 mA
|
1 kOhms
|
- 20 V, 20 V
|
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- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Depletion
|
|
Ammo Pack
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|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
- LND150N3-G-P014
- Microchip Technology
-
1:
$0.68
-
890En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N3-G-P014
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DepletionMode MOSFET
|
|
890En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.52
|
|
|
$0.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 mA
|
1 kOhms
|
- 20 V, 20 V
|
|
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
740 mW
|
Depletion
|
|
Ammo Pack
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm
- LND150N8-G
- Microchip Technology
-
1:
$0.79
-
1,086En existencias
-
5,900En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
689-LND150N8-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 1KOhm
|
|
1,086En existencias
5,900En pedido
|
|
|
$0.79
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
500 V
|
30 mA
|
1 kOhms
|
- 20 V, 20 V
|
800 mV
|
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- 55 C
|
+ 150 C
|
1.6 W
|
Depletion
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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