STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
Hoja de datos
1,904En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 42 A 63 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 4.3 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
2,321En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.3 A 2.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 32.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 600V Zener SuperMESH
Hoja de datos
2,833En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
1,592En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 5.8 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 46.5 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2
Hoja de datos
3,217En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 5 A 860 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 8.8 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.60 Ohm Zener SuperMESH 6.5
Hoja de datos
652En existencias
976En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 6.5 A 1.85 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 73 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 500V-0.72ohms 7.2A
Hoja de datos
1,591En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 7.2 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 7.3 Ohm typ., 1 A SuperMESH PowerMOSFET in TO-92 package
Hoja de datos
7,435En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Si Through Hole TO-92-3 N-Channel 1 Channel 600 V 400 mA 8.5 Ohms - 30 V, 30 V 2.25 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Ammo Pack

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 20V 0.025Ohm 23A STripFET V
Hoja de datos
12,023En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 2.3 A 30 mOhms - 8 V, 8 V 700 mV 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 2 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT-23 package
Hoja de datos
20,489En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 30 V 2 A 56 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 6 nC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch 30V 10A STripFET V Pwr
Hoja de datos
6,689En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 15.5 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.7 W Enhancement STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 mOhm typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET
Hoja de datos
3,419En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 8 A 21 mOhms, 21 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 27 nC - 55 C + 175 C 3.2 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1Ohm 9A pwr MDmesh K5
Hoja de datos
4,280En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 1.25 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 9 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 8.3 A Zener SuperMESH
Hoja de datos
2,384En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8.3 A 1.38 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 113 nC - 55 C + 150 C 230 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
Hoja de datos
1,006En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
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499En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 690 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 15 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
783En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 15 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 190 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V MDMesh
Hoja de datos
676En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 950V, 0.275Ohms, 17.5A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247
Hoja de datos
540En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
Hoja de datos
815En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 37 nC - 65 C + 150 C 214 W Enhancement FDmesh Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
1,044En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 190 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 23 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 30 Amp
Hoja de datos
712En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh II Power
Hoja de datos
807En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
Hoja de datos
615En existencias
600En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube