Texas Instruments CSD19538Q3A Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT
Hoja de datos
14,578En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 360
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 14.4 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A
Hoja de datos
5,250En pedido
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 15 A 61 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 2.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel