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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

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Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

IPB026N06NATMA1
Infineon Technologies
1: $3.14
1,596En existencias

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IPB026N06NATMA1

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726-IPB026N06NATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2

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Cinta cortada

$3.14

$2.05

$1.42

$1.20

Envase tipo carrete

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1 Channel

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100 A

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- 20 V, 20 V

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66 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IPD90N06S405ATMA2
Infineon Technologies
1: $2.19
13,881En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N06S405ATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N06S405ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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Cinta cortada

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$1.40

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$0.757

$0.726

Envase tipo carrete

$0.679

MouseReel Disponible

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Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04L G
Infineon Technologies
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IPB011N04L G

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726-IPB011N04LG

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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1,764En existencias

Cinta cortada

$3.94

$2.58

$1.90

$1.72

Envase tipo carrete

$1.50

MouseReel Disponible

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TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

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1.2 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB027N10N3 G
Infineon Technologies
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N.º de artículo del Fabricante
IPB027N10N3 G

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726-IPB027N10N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

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5,059En existencias

Cinta cortada

$4.97

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$2.95

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Envase tipo carrete

$2.32

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06NATMA1
Infineon Technologies
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7,219En existencias

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IPD025N06NATMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

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7,219En existencias

Cinta cortada

$3.07

$1.97

$1.34

$1.12

$1.04

Envase tipo carrete

$0.964

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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- 20 V, 20 V

2.1 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPD050N10N5ATMA1
Infineon Technologies
1: $3.25
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N.º de artículo del Fabricante
IPD050N10N5ATMA1

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726-IPD050N10N5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

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7,555En existencias

Cinta cortada

$3.25

$1.93

$1.33

$1.11

Envase tipo carrete

$1.03

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DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

100 V

80 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

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64 nC

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+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD90N04S4L-04
Infineon Technologies
1: $1.61
4,344En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S4L-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S4L-04

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

4,344En existencias

Cinta cortada

$1.61

$1.01

$0.67

$0.529

Envase tipo carrete

$0.436

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

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- 20 V, 20 V

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60 nC

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71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

IPP200N25N3 G
Infineon Technologies
1: $5.80
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP200N25N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPP200N25N3GXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 250V 64A TO220-3 OptiMOS 3

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Hoja de datos

76En existencias

$5.80

$4.65

$3.83

$3.25

$2.95

Min.: 1
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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

64 A

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- 20 V, 20 V

2 V

86 nC

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300 W

Enhancement

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPT020N10N3ATMA1
Infineon Technologies
1: $5.62
1,507En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT020N10N3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N3ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

1,507En existencias

Cinta cortada

$5.62

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$2.67

$2.31

Envase tipo carrete

$2.16

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

100 V

300 A

2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

156 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
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53,840En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

53,840En existencias

Cinta cortada

$1.24

$0.777

$0.512

$0.398

Ver

Envase tipo carrete

$0.309

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0924NDI
Infineon Technologies
1: $1.55
4,158En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0924NDI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0924NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,158En existencias

Cinta cortada

$1.55

$0.562

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Envase tipo carrete

$0.422

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

3.8 mOhms, 2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC, 12.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB011N04LGATMA1
Infineon Technologies
1: $2.75
1,970En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB011N04LGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB011N04LGATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

Hoja de datos

1,970En existencias

Cinta cortada

$2.75

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$1.51

$1.50

Envase tipo carrete

$1.50

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

346 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB016N06L3 G
Infineon Technologies
1: $4.84
1,746En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB016N06L3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB016N06L3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

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Hoja de datos

1,746En existencias

Cinta cortada

$4.84

$3.20

$2.51

$2.23

Envase tipo carrete

$1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

166 nC

- 55 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB090N06N3 G
Infineon Technologies
1: $1.84
4,047En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB090N06N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB090N06N3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3

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Hoja de datos

4,047En existencias

4,000En pedido

Cinta cortada

$1.84

$1.18

$0.792

$0.632

Envase tipo carrete

$0.532

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-01
Infineon Technologies
1: $3.65
9,396En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-01

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-01

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

9,396En existencias

Cinta cortada

$3.65

$2.39

$1.67

$1.47

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

1.3 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

188 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L-21
Infineon Technologies
1: $2.50
17,856En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L-21

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L-21

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

17,856En existencias

Cinta cortada

$2.50

$1.60

$1.09

$0.908

$0.799

Envase tipo carrete

$0.786

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

20.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N04S4-08
Infineon Technologies
1: $1.23
16,184En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S4-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S4-08

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

16,184En existencias

Cinta cortada

$1.23

$0.767

$0.505

$0.401

$0.356

Envase tipo carrete

$0.302

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

7.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

22.4 nC

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+ 175 C

46 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

IPG20N06S4L-26
Infineon Technologies
1: $1.66
7,264En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L-26

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

7,264En existencias

Cinta cortada

$1.66

$1.05

$0.701

$0.574

Ver

Envase tipo carrete

$0.456

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

26 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

33 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

BSC036NE7NS3 G
Infineon Technologies
1: $3.23
10,931En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC036NE7NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC036NE7NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 100A TDSON-8

Hoja de datos

10,931En existencias

Cinta cortada

$3.23

$2.10

$1.54

$1.29

$1.12

Envase tipo carrete

$1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

75 V

159 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.3 V

63.4 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

BSC061N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: $2.54
6,010En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC061N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC061N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 82A TDSON-8

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Hoja de datos

6,010En existencias

Cinta cortada

$2.54

$1.67

$1.12

$0.897

Ver

Envase tipo carrete

$0.832

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

82 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

IPB010N06N
Infineon Technologies
1: $5.89
2,566En existencias
997En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB010N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6

Obtenga más información

Hoja de datos

2,566En existencias

997En pedido

Cinta cortada

$5.89

$4.46

$3.61

$3.22

Envase tipo carrete

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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

60 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

243 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB036N12N3 G
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SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

120 V

180 A

2.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 120A D2PAK-2

IPB120N06S403ATMA2
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IPB120N06S403ATMA2

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

60 V

120 A

2.8 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

160 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

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AEC-Q101

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NS G
Infineon Technologies
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

5.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

26 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W