2041 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Resultados: 9
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET,N-CHANNEL
Hoja de datos
4,914En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 20 V 6.4 A 20 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 15.6 nC - 55 C + 150 C 780 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET DUAL N-CHAN ENHANCE MODE
Hoja de datos
4,029En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 20 V 7.63 A 19 mOhms - 12 V, 12 V 500 mV 15.6 nC - 55 C + 150 C 1.16 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K
Hoja de datos
7,908En existencias
3,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5.8 A 28 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 9.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
Hoja de datos
2,439En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-2020-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 20 V 3.2 A, 4.7 A 23 mOhms, 59 mOhms - 12 V, 12 V 350 mV, 1.4 V 15 nC, 18 nC - 55 C + 150 C 1.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 N-Channel 2 Channel Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 10K
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000
Si SMD/SMT TSOT-26-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5.8 A 28 mOhms - 8 V, 8 V 900 mV 9.1 nC - 55 C + 150 C 1.1 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Ch Enh 12Vgs 1.4W 713pF
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT U-DFN2020-B-6 N-Channel 2 Channel Reel
Diodes Incorporated Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Min.: 10,000
Mult.: 10,000
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-2020-B-6 Reel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN012-80BS/SOT404/D2PAK
Hoja de datos
3,861En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 73 V 74 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 43 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel