4401 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Calificación Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Channel 40 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.2 mohm a. 10V, 2.9 mohm a. 4.5V 3,340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT PowerPAK SO-8S P-Channel 1 Channel 40 V 198 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 392 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET 5,247En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SO-8 P-Channel 1 Channel 40 V 17.3 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 71 nC - 55 C + 175 C 7.14 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 5,859En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 14 A 14.2 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 66 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V Dual N-Channel ESD Protection 13,317En existencias
12,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,420
: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 N-Channel 2 Channel 20 V 910 mA 375 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 1.3 nC - 55 C + 150 C 550 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -40V Vds 20V Vgs SO-8 8,070En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 40 V 16.1 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 64 nC - 55 C + 150 C 6.3 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) NFET SC88 20V 630MA 375MO 6,980En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 20 V 630 mA 375 mOhms - 12 V, 12 V 600 mV 3 nC - 55 C + 150 C 550 mW Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 1,991En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 30 V 50 A 8.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Plazo de entrega no en existencias 36 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Si 30 V 50 A 8.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 27 nC Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN012-60YS/SOT669/LFPAK 23,072En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 60 V 59 A 17.8 mOhms - 20 V, 20 V 4.6 V 28.4 nC - 55 C + 175 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel