6342 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel NexFET Pow er MOSFET
Hoja de datos
4,540En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSONP-8 N-Channel 1 Channel 25 V 60 A 5.5 mOhms - 8 V, 10 V 600 mV 6.5 nC - 55 C + 150 C 3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable
Hoja de datos
4,216En existencias
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TSOP-6 N-Channel 1 Channel 30 V 8.3 A 17.5 mOhms - 12 V, 12 V 1.8 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement HEXFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 5,000
Mult.: 5,000
: 5,000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 25 V 100 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 23 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement OptiMOS Reel