CSD85301Q2 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
Hoja de datos
396En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 5 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
Hoja de datos
Más información disponible
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
: 3,000

Si SMD/SMT WSON-FET-6 N-Channel 2 Channel 20 V 8 A 27 mOhms - 10 V, 10 V 600 mV 5.4 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel