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OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS-T

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: $1.99
3,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

3,124En existencias

Cinta cortada

$1.99

$1.27

$0.878

$0.744

$0.644

Envase tipo carrete

$0.592

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: $2.15
2,130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

$2.15

$1.47

$1.02

$0.862

$0.72

Envase tipo carrete

$0.685

MouseReel Disponible

Min.: 1
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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

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- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: $2.99
1,725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

1,725En existencias

Cinta cortada

$2.99

$2.94

Envase tipo carrete

$1.04

MouseReel Disponible

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: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

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1 Channel

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90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB100N10S3-05
Infineon Technologies
1: $5.08
415En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

$5.08

$3.80

$3.03

$2.99

Envase tipo carrete

$2.89

MouseReel Disponible

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: $2.97
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

980En existencias

Cinta cortada

$2.97

$1.92

$1.37

$1.17

Envase tipo carrete

$0.991

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

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1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
1: $5.40
409En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

Hoja de datos

409En existencias

$5.40

$3.61

$3.48

$3.42

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $3.76
725En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

725En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

$3.76

$2.45

$1.92

$1.65

Envase tipo carrete

$1.40

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.82
2,884En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,884En existencias

Cinta cortada

$3.82

$2.50

$1.75

$1.49

Envase tipo carrete

$1.37

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: $2.32
4,782En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

4,782En existencias

Cinta cortada

$2.32

$1.48

$1.03

$0.868

$0.751

Envase tipo carrete

$0.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: $3.18
5,815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

5,815En existencias

Cinta cortada

$3.18

$3.11

$2.38

$1.99

$1.71

Envase tipo carrete

$1.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.52
990En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

$3.52

$2.29

$1.59

$1.29

Envase tipo carrete

$1.12

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1: $3.11
346En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

346En existencias

Cinta cortada

$3.11

$2.09

$1.51

$1.27

$1.22

Envase tipo carrete

$1.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: $3.01
2,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

$3.01

$1.96

$1.28

$0.969

Envase tipo carrete

$0.969

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
2,500: $0.639
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-09

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$0.639

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
2,500: $0.912
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80N04S3-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80N04S3-06

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$0.912

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-H4
Infineon Technologies
2,500: $1.09
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-H4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-H4

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

$1.09

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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