4829 MOSFETs de SiC

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Hoja de datos
380En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
2,813En existencias
357En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 98 A 19 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 83 nC - 55 C + 150 C 375 W Enhancement