AIMW120R035M1HXKSA1

Name: Infineon AIMW120R035M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-W120R035M1HXKSA1
Price: 33.68 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-W120R035M1HXKSA1

Fabricante N.º:

AIMW120R035M1HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	52 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	35 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	59 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	228 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Serie:	CoolSiC 1200V
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Alias de las piezas n.º:	AIMW120R035M1H SP005417579