Infineon CoolSiC MOSFETs de SiC

Resultados: 213
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology 67En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole PG-TO247-4-U07 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 201 A 20 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 176 nC - 55 C + 175 C 711 W CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2 35En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 86 A 25 mOhms -7 V to + 23 V 4.5 V 59 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 172 A 9 mOhms - 11 V, + 25 V 5.6 V 169 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 112En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 31 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 24En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 220 A 9 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 164 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 164 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 118En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 50 A 41.3 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 189 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 134En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 29 A 78 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 20 nC - 55 C + 175 C 116 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK 49En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 72 A 25 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 140En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 50 mOhms - 7 V, 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 156 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 63En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 36 A 65 mhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 24 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 15En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 116 A 13.8 mOhms - 7 V, + 25 V 5.6 V 106 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 70En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 45 A 50 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC Automotive SiC MOSFET, 750 V 25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole PG-TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 60 A 31 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 202 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 41.3 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 37 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2 703En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 750

SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 840 V 357 A 5 mOhms - 7 V to + 23 V 5.6 V 342 nC - 55 C + 175 C 1.499 kW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 781En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 60 mOhms - 7 V, + 23 V 5.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 150 mW Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 1,346En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 80 mOhms - 20 V, + 20 V 4.5 V - 55 C + 175 C 714 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 3,984En existencias
2,000En pedido
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 39 A 74 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 28 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE 829En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 52 A 59 mOhms - 7 V, + 20 V 5.7 V 57 nC - 55 C + 175 C 228 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 651En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 45 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 46 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 739En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 217 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 27 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 340En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 83 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 34 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement CoolSiC


Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET 753En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 141 mOhms - 5 V, + 23 V 5.7 V 35 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement CoolSiC