Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

AIMW120R045M1XKSA1

Name: Infineon AIMW120R045M1XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMW120R045M1XKS
Price: 20.31 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

726-AIMW120R045M1XKS

Fabricante N.º:

AIMW120R045M1XKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

AIMW120R045M1XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Infineon Technologies AIMW120R045M1XKSA1

En existencias: 830

Existencias:: 830 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$20.31	$20.31
	$14.72	$147.20
	$14.09	$1,409.00
	$14.08	$6,758.40

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	52 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	59 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.7 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	228 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	13 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	11.1 S
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	32 ns
Serie:	CoolSiC 1200V
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tiempo de retardo de apagado típico:	17 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	9 ns
Alias de las piezas n.º:	AIMW120R045M1 SP002472666
Peso de la unidad:	6 g

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

AIMW120R045M1XKSA1 Hoja de datos (PDF)

Product Catalogs

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an R_DS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.