AIMW120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-W120R060M1HXKSA1
AIMW120R060M1HXKSA1

Fabricante:

Descripción:
MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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En existencias: 781

Existencias:
781 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
26 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$27.75 $27.75
$18.00 $180.00
$17.80 $1,780.00
$17.79 $8,539.20

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: MOSFETs de SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
36 A
60 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.7 V
31 nC
- 55 C
+ 175 C
150 mW
Enhancement
CoolSiC
Marca: Infineon Technologies
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: AT
Empaquetado: Tube
Tipo de producto: SiC MOSFETS
Serie: CoolSiC 1200V
Cantidad de empaque de fábrica: 240
Subcategoría: Transistors
Tecnología: SiC
Alias de las piezas n.º: AIMW120R060M1H SP005417583
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.