IMBG75R020M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R020M2HXTM
Price: 11.87 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

726-IMBG75R020M2HXTM

Fabricante N.º:

IMBG75R020M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

IMBG75R020M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	79 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	40 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	59 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	282 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	27 S
Empaquetado:	Reel
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	10 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	24 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns
Alias de las piezas n.º:	IMBG75R020M2H SP006098942