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IMDQ75R060M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R060M2HXTM
Price: 8.44 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMDQ75R060M2HXTM

Fabricante N.º:

IMDQ75R060M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 750 V G2

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IMDQ75R060M2HXTMA1 Hoja de datos (PDF)

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	$4.04	$2,020.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 750)
	$3.57	$2,677.50

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PG-HDSOP-22
Polaridad del transistor:	N-Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	840 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	78 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V to + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	20 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	128 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	MY
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	5 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	5.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	750
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	12.6 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	6.6 ns
Alias de las piezas n.º:	IMDQ75R060M2H SP006065972

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.

CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ G2 Silicon Carbide MOSFETs allow an excellent level of SiC performance while fulfilling the highest quality standards in all common power scheme combinations (AC-DC, DC-DC, and DC-AC). SiC MOSFETs offer additional performance for photovoltaic inverters, energy storage systems, EV charging, power supplies, and motor drives, compared to Si alternatives. Infineon CoolSiC G2 MOSFETs further advance the unique XT interconnection technology (e.g., in discrete housings TO-263-7, TO-247-4) that overcomes the common challenge of improving semiconductor chip performance while maintaining thermal capability. The G2 thermal capability is 12% better, boosting the chip figures-of-merit to a robust level of SiC performance.