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IMZA75R016M2HXKSA1

Name: Infineon IMZA75R016M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZA75R016M2HXKS
Price: 20.06 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMZA75R016M2HXKS

Fabricante N.º:

IMZA75R016M2HXKSA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SiC MOSFET, 750 V

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

IMZA75R016M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

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	$20.06	$20.06
	$14.98	$149.80
	$12.96	$1,296.00
1,200	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	PG-TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	750 V
Id - Corriente de drenaje continua:	85 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	20 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5.6 V
Qg - Carga de puerta:	74 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	263 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	CoolSiC
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	CN
País de difusión:	AT
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	8 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	33 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	CoolSiC MOSFET
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	11 ns
Serie:	CoolSiC G2
Cantidad de empaque de fábrica:	240
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	12 ns
Alias de las piezas n.º:	IMZA75R016M2H SP006113421

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IMZA75R016M2HXKSA1 Hoja de datos (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 Silicon Carbide MOSFETs are designed to offer high efficiency, robustness against parasitic turn-on for unipolar gate driving, and reliability. These MOSFETs offer superior performance in Totem Pole, ANPC, Vienna rectifier, and FCC hard-switching topologies. The reduction in Output Capacitance (Coss) enables the MOSFETs to operate at higher switching frequencies in Cycloconverter, CLLC, DAB, and LLC soft switching topologies. The CoolSiC™ 750V G2 MOSFETs feature up to 78mΩ maximum drain-source on-resistance and switching losses through improved gate control. These MOSFETs are automotive and industrial qualified. Typical applications include EV charging infrastructure, telecom, circuit breakers, solid state relays, solar PV inverters, and HV‑LV DC-DC converters.