|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA08N80C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.12
-
537En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
537En existencias
|
|
|
$3.12
|
|
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$1.55
|
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$1.40
|
|
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$1.14
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
- SPA20N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.23
-
635En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3
|
|
635En existencias
|
|
|
$4.23
|
|
|
$2.79
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.74
|
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
- SPB17N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.61
-
1,877En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
|
1,877En existencias
|
|
|
$4.61
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.39
|
|
|
$2.12
|
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$1.88
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
- SPB17N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.10
-
1,397En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
|
1,397En existencias
|
|
|
$4.10
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.15
|
|
|
$1.95
|
|
|
$1.90
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
- SPB20N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$4.34
-
1,734En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3
|
|
1,734En existencias
|
|
|
$4.34
|
|
|
$2.86
|
|
|
$2.02
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.66
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
- SPB20N60S5
- Infineon Technologies
-
1:
$4.86
-
871En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60S5
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5
|
|
871En existencias
|
|
|
$4.86
|
|
|
$3.23
|
|
|
$2.56
|
|
|
$2.29
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD06N80C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.38
-
3,751En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
3,751En existencias
|
|
|
$2.38
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.831
|
|
|
$0.791
|
|
|
$0.731
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3
- SPP07N60C3XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
225En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP07N60C3XKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3
|
|
225En existencias
|
|
|
$2.99
|
|
|
$1.50
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
- SPP20N60S5
- Infineon Technologies
-
1:
$4.52
-
5,852En existencias
-
6,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60S5
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
|
|
5,852En existencias
6,000En pedido
|
|
|
$4.52
|
|
|
$2.46
|
|
|
$2.24
|
|
|
$2.02
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW35N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$9.74
-
188En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
188En existencias
|
|
|
$9.74
|
|
|
$7.39
|
|
|
$6.16
|
|
|
$5.48
|
|
|
$5.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD
- SPW35N60CFD
- Infineon Technologies
-
1:
$10.10
-
220En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60CFD
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD
|
|
220En existencias
|
|
|
$10.10
|
|
|
$6.00
|
|
|
$5.55
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW47N60C3
- Infineon Technologies
-
1:
$12.01
-
977En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
977En existencias
|
|
|
$12.01
|
|
|
$7.24
|
|
|
$6.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R060P7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.78
-
937En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
937En existencias
|
|
|
$6.78
|
|
|
$4.44
|
|
|
$3.33
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPA60R120C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.47
-
1,000En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,000En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.47
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA60R280P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.80
-
3,902En existencias
-
1,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,902En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$1.80
|
|
|
$0.864
|
|
|
$0.772
|
|
|
$0.611
|
|
|
$0.543
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA70R360P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.57
-
3,136En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
3,136En existencias
|
|
|
$1.57
|
|
|
$0.678
|
|
|
$0.587
|
|
|
$0.481
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.455
|
|
|
$0.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA70R600P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.67
-
15,355En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
15,355En existencias
|
|
|
$1.67
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.677
|
|
|
$0.52
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.47
|
|
|
$0.428
|
|
|
$0.402
|
|
|
$0.389
|
|
|
$0.378
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPB60R040C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.15
-
1,106En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
1,106En existencias
|
|
|
$11.15
|
|
|
$7.73
|
|
|
$5.75
|
|
|
$5.73
|
|
|
$5.47
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.23
-
828En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
828En existencias
|
|
|
$5.23
|
|
|
$3.09
|
|
|
$2.34
|
|
|
$2.14
|
|
|
$2.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.16
-
1,027En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,027En existencias
|
|
|
$9.16
|
|
|
$6.47
|
|
|
$5.39
|
|
|
$5.07
|
|
|
$4.49
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD60R180P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.76
-
6,267En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
6,267En existencias
|
|
|
$2.76
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.869
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.826
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R180P7SAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.92
-
11,227En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
11,227En existencias
|
|
|
$1.92
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.821
|
|
|
$0.65
|
|
|
$0.60
|
|
|
$0.544
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPD60R280P7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.26
-
3,474En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
3,474En existencias
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.911
|
|
|
$0.835
|
|
|
$0.606
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPD65R190C7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.50
-
2,455En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
2,455En existencias
|
|
|
$3.50
|
|
|
$2.27
|
|
|
$1.51
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.14
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
- IPD65R660CFDA
- Infineon Technologies
-
1:
$2.26
-
4,066En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2
|
|
4,066En existencias
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.985
|
|
|
$0.786
|
|
|
$0.748
|
|
|
$0.683
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|