|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R190C7
- Infineon Technologies
-
1:
$4.69
-
3En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
3En existencias
|
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$4.69
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$3.06
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$2.40
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$2.00
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Ver
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$1.86
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$1.74
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPW65R190C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.68
-
324En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
324En existencias
|
|
|
$4.68
|
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$3.05
|
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$2.39
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$2.00
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Ver
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$1.86
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$1.74
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZ60R099C7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.23
-
26En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
26En existencias
|
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|
$7.23
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$4.81
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$3.89
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$3.45
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$3.06
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW60R099CPAFKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.38
-
146En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-PW60R099CPAFKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
146En existencias
|
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|
$8.38
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$4.90
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$4.34
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
- SPP08N80C3
- Infineon Technologies
-
1:
$2.99
-
130En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
|
|
130En existencias
|
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$2.99
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$1.93
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$1.38
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$1.15
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$0.998
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
- SPW55N80C3FKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$14.40
-
104En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3FKSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3
|
|
104En existencias
|
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$14.40
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$8.82
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$8.77
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Min.: 1
Mult.: 1
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPAW60R180P7SXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.26
-
901En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
901En existencias
|
|
|
$2.26
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$1.40
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|
$1.39
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|
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$1.29
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Ver
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$0.799
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$0.772
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Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD50R650CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.11
-
1,489En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R650CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
1,489En existencias
|
|
|
$1.11
|
|
|
$0.722
|
|
|
$0.558
|
|
|
$0.505
|
|
|
$0.285
|
|
|
$0.278
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPN70R1K5CEATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.88
-
2,336En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K5CEATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,336En existencias
|
|
|
$0.88
|
|
|
$0.584
|
|
|
$0.391
|
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$0.301
|
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$0.235
|
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|
Ver
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|
$0.272
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|
$0.226
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
- IPU80R1K4P7AKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.39
-
1,319En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R1K4P7AKMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW
|
|
1,319En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.08
|
|
|
$0.971
|
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Ver
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$0.647
|
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|
$0.588
|
|
|
$0.586
|
|
|
Presupuesto
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|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
- SPD04N50C3ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.96
-
253En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N50C3ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY
|
|
253En existencias
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.848
|
|
|
$0.674
|
|
|
$0.618
|
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$0.611
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
- IPA60R160C6
- Infineon Technologies
-
1:
$4.11
-
278En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
|
278En existencias
|
|
|
$4.11
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP
- IPA60R165CP
- Infineon Technologies
-
1:
$6.04
-
502En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R165CP
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP
|
|
502En existencias
|
|
|
$6.04
|
|
|
$4.51
|
|
|
$3.49
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
- IPA60R190C6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.59
-
315En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190C6XK
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
|
|
315En existencias
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA65R280E6
- Infineon Technologies
-
1:
$3.06
-
122En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R280E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
122En existencias
|
|
|
$3.06
|
|
|
$1.53
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA65R380E6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.53
-
42En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R380E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
42En existencias
|
|
|
$2.53
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.897
|
|
|
$0.863
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6
- IPA65R600E6
- Infineon Technologies
-
1:
$2.34
-
78En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R600E6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
78En existencias
|
|
|
$2.34
|
|
|
$1.26
|
|
|
$0.941
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.696
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPA80R1K4CEXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
$1.89
-
121En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
121En existencias
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.861
|
|
|
$0.645
|
|
|
$0.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6
- IPB60R125C6
- Infineon Technologies
-
1:
$5.89
-
548En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125C6
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6
|
|
548En existencias
|
|
|
$5.89
|
|
|
$3.80
|
|
|
$2.67
|
|
|
$2.46
|
|
|
$2.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
- IPB60R165CPATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.91
-
61En existencias
-
1,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CPATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP
|
|
61En existencias
1,000En pedido
|
|
|
$4.91
|
|
|
$3.25
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD60R2K1CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$0.87
-
150En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
150En existencias
|
|
|
$0.87
|
|
|
$0.536
|
|
|
$0.347
|
|
|
$0.266
|
|
|
$0.195
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.239
|
|
|
$0.174
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
- IPD60R950C6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.59
-
1,559En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R950C6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 4.4A DPAK-2
|
|
1,559En existencias
|
|
|
$1.59
|
|
|
$0.919
|
|
|
$0.63
|
|
|
$0.502
|
|
|
$0.465
|
|
|
$0.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD65R400CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.55
-
2,501En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
2,501En existencias
|
|
|
$1.55
|
|
|
$0.864
|
|
|
$0.582
|
|
|
$0.463
|
|
|
$0.397
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
- IPD65R650CEAUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.45
-
70En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER
|
|
70En existencias
|
|
|
$1.45
|
|
|
$0.908
|
|
|
$0.602
|
|
|
$0.497
|
|
|
$0.452
|
|
|
$0.361
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3
- IPP50R140CPXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.34
-
59En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R140CPXKSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3
|
|
59En existencias
|
|
|
$4.34
|
|
|
$2.30
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.87
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|